补充资料：二硒化铜铟晶体

分子式：
CAS号：

性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.577nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.04eV。电子和空穴迁移率分别为3.2×10-2m2/(V·s)和1×10-3m2/(V·s)。熔点990℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。为近红外发光材料。

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