1) WKB solution
WKB解
1.
WKB solution of parallel polarized waves propagating in slowly varied dielectric is obtained.
得出了平行极化波在缓变介质中传播问题的改进的WKB解，将近似条件放宽为εr"(z)→0，并且不受波的传播方向的限制。
2) WKB method
WKB法
1.
In the article, we calculate the quantum energy levels and emission current,respectively using WKB method and the transfer matrix method .
并分别应用WKB法和转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流。
3) WKB method
WKB方法
1.
It is introduced that the proton emission from a spherical nucleus can be well described by WKB method, while that from a deformed nucleus must be described by means of solving coupled channel Schrdinger equations.
球形核的质子发射用 WKB方法可以很好地描述 ,变形核的质子发射则须解耦合道的薛定谔方程 。
2.
According to the radius and offset distance of the RE-doped core in double-clad fiber (DCF), the wave theory and WKB method are used to calculate circumferential mode number, propagating constant and the value of caustic radius, which are in a critical condition of the modes in fiber from absorbable to non-absorbable by the core.
基于波动理论,运用WKB方法,根据双包层光纤中单模掺杂纤芯的半径和偏心距离,计算光纤中的模式在从能被纤芯吸收到不被吸收这一临界条件下对应的周向模数、传播常数和焦散面半径值。
3.
Adopting the WKB method and tunneling effect in quantum mechanics,we discuss theradial motion of particles near the horizon of Hawking radiation.
运用量子力学中的WKB方法和隧穿效应对Hawking辐射中粒子在黑洞视界附近的径向运动进行讨论。
4) WKB approximation
WKB近似
1.
Methods of choosing basic function in WKB approximation;
WKB近似中基函数选择方式
2.
The proposed method has the advantages over the WKB approximation of better accuracy and adaptation to SiC ohmic contacts.
精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻。
3.
The simulation results show that the proposed method has the advantages of greater accuracy and adaptability to SiC Schottky contacts in high fields over the WKB approximation.
结果显示该方法比WKB近似更精确,同时也更适合工作在高场条件下的SiC材料,并且能够连续地计算热电子发射电流和隧穿电流。
5) Inverse WKB method
反WKB法
1.
Inverse WKB method has been used to fit refractive index profiles of the waveguides,the best fitted refractive index profiles is Gaussian distribution.
与反WKB法只能获得多模离子交换平面波导的折射率分布相比,这种方法可以得到任意扩散时间下折射率变化与Ag离子浓度,可以获得单模平面波导的折射率分布。
6) WKB theory
WKB理论
1.
Based on the WKB theory, the QM effects in the transport direction of a MOSFET are taken into account to revise the energy levels in the carrier confinement direction.
基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其对阈值电压的修正。
补充资料：WKB方法
WKB方法
WKB method
wKB方法【WKBn笼灯长xI;BKB一MeT叭〕 G .W比t2呢】，H .Kra胀rs，L .BriU ou五1和H无触娜用来求解以下形式的常微分方程的一种渐近方法: ，少x、。 。‘二居二一q(t)x=0.(l) dt‘其中在最高阶导数前有一小参数:>0.他们在1926年为求Schr浏in罗r量子力学波动方程的近似解引人这个方法(关于其历史的详细叙述和有关文献，见【5]，16」).这个方法还有另一些名字:Lio让月】e一Green近似(Liou访lle一G获犯napproxirr洽tion);相位积分方法(此山团ofthephaseinte脚1);半经典近似(s~-elassical aPproxj五ution)，有时w，K，B(还有J)这几个字母的排列次序也会不同， 令I=【a，b」，g(r)EC的(I)而当r‘I时ReV万而)0或当“I时q(:)<0.于是方程(l)有一解，使得当。~十O时，对于t任I一致地有，一‘亡，￡，二、，，(亡，￡)[，·*客，￡*一，(!)」，少一1，2，其中W】，2‘!，￡，一(!，exn「一!二己·」·(2) 渐近展开式的主项(2)通常称为WKB近似(WKB aPProxjn坦tion).令I=【0，十田)，且上述关于q(t)的条件都满足，再令丁(}、‘(:)}2}、(:)}一2+，、，，(:)日、(。)}一‘2)‘:、二. ll这lj寸jJ-程(l)有解‘，(t，。)=wz0，。)(l+“鸟(t，“))(少=l，2)，其中{竹ft，:){‘C(t‘I，o‘:簇芍，)，这里今，>0充分小，而当t一+的，。>0时，甲(t￡)争让 如果宁(t‘，)二o，点r。称为方程(l)的转向点(tUrningpo碌).WKB近似在转向点不适用.而适用于转向点邻域中的渐近公式已经找到了(【11，【4〕)、渐近展开式的主项可以用B昭sel函数表示. 在许多问题(如本征值问题，散射问题)中，只需知道方程(l)的解在区间端点的渐近状况，即不必去找转向点处的渐近展开.如果q(t)是一解析函数，一般地可以经由复平面C将WKB公式由区间I的一端拓展到另一端(严格证明见〔21).当q(t)为整函数时，已知WKB近似(2)在复平面C上由Stok巴线(stokes lin岛)(即经过转向点的水平线Re丁丫丽而dt二常数)所包围的区域中适用.也得到了方程(l)的基本解组除在转向点的邻域外，整个复平面上都适用的渐近公式. 关于偏微分方程的WKB近似可见〔51，〔6]，〔81，【9」，〔101.
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参考词条