1) AP-MOCVD
大气开放式MOCVD
2) AP-MOCVD
AP-MOCVD
1.
The Growth Characteristic of GaN Films by AP-MOCVD;
研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层。
3) AP-MOCVD
大气开放式金属有机化学气相沉积
补充资料：MOCVD
分子式：
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。