1) surface void
表面空穴
1.
The results of observation undter thescanning electron microscope show quantitatively that the growth microprocess of ductile surface damage includethe nucleation,growth and coalescence of surface voids.
通过扫描电子显微镜观测表明，表面塑性损伤的细观机理是表面空穴形核、扩张和聚合的过程。
2) surface void
表面孔穴
3) hole-sheet-density
空穴面密度
1.
In this paper,static state and quasi-static state models of quantum well channel hole-sheet-density of SiGe p-metal-oxide-semiconductor with δ -doping-layer are established and analyzed.
建立了含有δ掺杂层的SiGepMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型 ,并对该模型进行了数值分析 。
4) vacant site
八面体空穴
1.
The results show that Mn AOS of birnessites apparently reflects their amount of vacant sites which largely account for the Pb 2+ adsorption.
研究水钠锰矿对重金属离子的吸附,其结构中八面体空穴特点与重金属离子吸附的关系是人们关注的热点。
5) simultaneous hole and electron surface channel
同时并存空穴电子表面沟道
6) Interfacial holes transfer
空穴界面转移
补充资料：《半导体中的电子和空穴》
关于半导体物理和晶体管电子学理论的权威著作，美国物理学家、晶体管发明人之一W.B.肖克莱著，1950年出版。本书总结对半导体中物理过程的认识，阐述晶体管电子学的理论基础。作者在本书中首次把半导体物理中关于电子过程的基本理论、半导体器件分析、设计和电路应用等内容称为晶体管电子学。本书对半导体物理的发展具有重要意义。全书分为三部分，共17章。第一部分为晶体管电子学引论，利用半导体实验所得到的结果阐明一些理论概念，特别是对电子空穴的注入问题进行了定量研究；第二部分是关于半导体的描述性理论，讨论了半导体中的电子能态、电子和空穴在电磁场中的行为，以及电导率和霍尔效应理论等；第三部分为量子力学基础，叙述基本量子理论如何导致产生电子和空穴的抽象概念，讨论了半导体的统计理论和电子、空穴的跃迁几率理论，论述了与电子导电有关的课题，如电子和空穴的速度、电流和加速度的理论等。本书中所采用的一些基本物理概念和理论分析在后来的半导体物理研究中得到了广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条