1) graded heterojunction
异质缓变结
2) strained heterojunction
应变异质结
1.
The eigenvalues of the electron and its corresponding eigenfunctions in a ZnSe/Zn1-xCdxSe strained heterojunction with a finite barrier under hydrostatic pressure are obtained by solving the stationary Schro¨dinger equation.
运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态问题,讨论了其基态、第一激发态和第二激发态本征能量及相应的各级本征函数,同时与无应变的情形进行了比较分析。
3) abrupt Junction
突变异质结
4) Strained layer heterojunction
应变层异质结
5) electronic mobility
应变AlN/GaN异质结
6) Variation of constitutive heterochromatin
结构异染色质变异
补充资料：缓变pn结（gradedp-njunction）
缓变pn结（gradedp-njunction）
从p区到n区掺杂浓度逐渐改变的pn结，如用固态扩散工艺制造的pn结。大多数缓变pn结数学上可作为线性缓变结处理。通常由扩散工艺制备的pn结为缓变pn结，但在浅扩散结或高反偏时它更接近于单边突变pn结。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条