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1)  nonlinear target
非线性目标
1.
The characteristics of nonlinear targets were analysed quantitatively.
非线性目标特性进行了定量分析研究,建立了非线性目标散射过程模型,推导了目标输出电压和功率与非线性目标模型参数的关系。
2.
So, the effective target of harmonic radar is the nonlinear target with harmonic radiation characteristic.
因此对于谐波雷达而言,具有谐波辐射特性的非线性目标是有效目标。
2)  nonlinear multi-objective
非线性多目标
1.
With the idea of the open engineering system,using the hall for workshop of metasynthetic engineering (HWME),intelligent control techniques, the expert system and the design of experiments are integrated within the framework of the nonlinear multi-objective decision support system to develop a robust,top-level design specification so as to .
该方法利用综合集成研讨厅体系,提出满意解集概念,把控制模型、专家系统、智能控制技术、仿真程序和实验分析综合在非线性多目标智能协调系统的框架中,探索设计空间,形成一个开放的稳定的设计,充分体现了把生态工业系统设计成一个开放的工程系统的指导思想,并使这个设计系统具有自适应、自组织、自学习和鲁棒性的特点。
3)  non-linear goal programming
非线性目标规划
1.
This paper discusses the goal in the scale optimun control of the structure of goodsexporting in developing country and the deternination of the constrains, and then sets upthe non-linear goal programming strategy model.
本文讨论了发展中国家出口商品结构优化的目标及对约束条件的确定,进而建立了优化出口商品结南非线性目标规划的战略决策模型,并以中间为实例进分了求解和分析,得到了我国出口商品最优结构及一些有意义的建
2.
This paper discusses the goal of the optimization for foreign debts scale and structure,then sets up a non-linear goal programming, and takes China as a case.
本文讨论了外债规模与结构最优控制的目标及对约束条件的确定,进而建立了优化外债规模与结构的非线性目标规划模型,并以中国的实际情况为实例进行了求解和分析。
4)  nonlinear target function
非线性目标函数
5)  Multi-object linear and non-linear program
多目标线性非线性规划
6)  multi-objective nonlinear optimization
多目标非线性优化
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条