1) power semiconductor devices/MCT
电力半导体器件/MOS控制型晶闸管
2) power Transistor/MBSIT
电力晶体管/MOS控制双极型静电感应晶体管
3) MCT
MOS控制晶闸管
1.
The structure and principle of the new power device MCTCMOS controlled thvristor are mtrodcued The Model of MCT under the condition of turn-off is studied.
介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,工作原理详细地探讨了MCT在关断情况下的建模,采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系,并利用MATLAB/Simulink仿真证明了结论的正确
2.
The analytical expression for the maximum controllable current in MCT is established and it is only related to the emitter shorted current and current gain in coupled transistors, which is also simulated based on the MCT model.
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 。
4) power semiconductor device/Dual In-line Package Intelligent Power Module
电力半导体器件/逆导型绝缘栅双极晶体管
5) madistor
['mædistə]
晶体磁控管，磁控型半导体等离子器件
6) thyristor
[θai'ristə]
晶体闸流管，可控硅整流器，半导体开关元件
补充资料：非晶态半导体器件
| 非晶态半导体器件 amorphous semiconductor device 以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，促进非晶态半导体器件的开发和应用。同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系统中。利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。 |
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参考词条