1) Monolithic dual photo detector
单片差分光电二极管
2) monolithic photodiode
单片光电二极管
3) differential diodes
差分二极管
1.
It combines a LC VCO,realized by on chip symmetrical spiral inductors and differential diodes,and a two stage ring VCO.
L C网络是由在片对称螺旋型电感和差分二极管组成的 。
4) photoelectric diode
光电二极管
1.
The selection of quadrant photoelectric diode on laser guidance;
激光制导四象限光电二极管的选择
2.
A novel, simple analytical procedure for determination of chromium(Ⅲ) in environmental samples with photoelectric diode detector is presented successfully, which is based on the fact that which is based on the principle that the system of luminol-H_2O_2-Cr(Ⅲ) can yield strong chemiluminescence The single analyzing time is less than 1 min.
根据Luminol H2O2 Cr(Ⅲ)体系在碱性条件下产生很强的化学发光的原理,用光电二极管作检测器测定环境样品中的Cr(Ⅲ)。
3.
Based on the model of calibration,an adjusting method for the calibration of the sensor is designed by using the induction of photoelectric diode to light intensity to adjust,and using standard tool to calibrate.
综合考虑采用公式法,基于标定模型给出了一种标定调整方法,即利用光电二极管对光强的感应进行调整,借助于标准具进行标定。
5) Photodiode
[英]['fəutəu,di,əud] [美]['foto,dɪ,od]
光电二极管
1.
A long wavelength photodiode for 10 Gbit/s applications;
基于10Gbit/s应用长波长光电二极管
2.
Development of instrument to measure properties of weak light of photodiode;
光电二极管弱光光敏特性测试仪的开发
3.
Temperature characteristics of Au/n-4H-SiC Schottky UV photodiode;
Au／4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性
6) Photodiodes
光电二极管
1.
The Measurement of Dark Current Temperature Dependence of Photodiodes;
光电二极管暗电流温度特性的测量
2.
The influence of thermal treatment on Si 1-x Ge x/Si multiple-quantum wells (MQW) p-i-n photodiodes has been investigated by photocurrent spectroscopy combined with X-ray double crystal diffraction.
利用光电流谱 ,结合 X射线双晶衍射研究了快速退火对 Si1 - x Gex/ Si多量子阱 p- i- n光电二极管的影响 。
3.
15 /Si heterojunction pin mesa photodiodes are fabricated.
1 5 - (p)Si层 ,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结 pin台面光电二极管。
补充资料：光电管和光电倍增管
基于外光电效应制成的光电器件。
光电管 主要由密封在玻璃壳内的光电阴极和阳极组成，如玻璃壳内抽成真空就构成真空光电管；如玻璃壳内充入选定的气体，使光电阴极发射的光电子经过气体电离放大,从而提高其灵敏度,则称为充气光电管。光电管的典型结构是中心阳极型。它的玻璃壳呈球形，并在内半球面上形成光电阴极,阳极制成小球或小环形,置于玻璃壳的中心。它具有光照面积大，到达玻璃壳的时间分散性小，极间电容小的优点。常用光电阴极有锑铯型、银氧铯型、铋银氧铯型、多碱型及负电子亲和势型，可对不同的谱段敏感。总的来说，光电管的灵敏度低、体积大、容易破碎，因此正逐步为固态光电探测器所代替。
光电倍增管 由光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极四部分组成。光电阴极接受入射的光子后发射出光电子。电子光学系统使光电子在电场的作用下汇集到第一电子倍增极上。受电场加速的光电子射到倍增极上会激发出更多的电子，称为次级电子。次级电子数与入射电子数的比值称次级发射系数，一般为3～6。光电子经电子倍增系统中多级倍增极的倍增（增益系数达104～108）,最后被阳极收集形成阳极电流。二种典型的结构示于图、内。非聚焦型的渡越时间分散性大。聚焦型的采用合理的倍增极形状,减小了渡越时间分散性,能响应几百兆赫的调制光。
近十年来从事负电子亲和势光电阴极和倍增极研究所取得的成果把响应光的长波阈值推到1.6微米,量子效率显著提高，倍增极的次级发射系数提高1～2个数量级。有可能制造出级数少、增益大、时间常数小的快速光电倍增管。
另一个重要进展是出现了通道式光电倍增管，它的主要改进在于采用了通道式电子倍增器。这是在一直管或弯管的内壁涂以高阻的次级发射材料，管端施加几千伏的直流高压，光电子经电场加速射到壁上发射出次级电子，这个过程多次重复而得到高增益。这种器件的时间常数只有十分之几纳秒。常用于探测真空紫外辐射。
光电倍增管在探测弱光、高频调制的光或光脉冲方面获得广泛应用。在有些情况下它已被光电雪崩二极管所取代，但是它的低噪声电平仍然是其独有的特性。光电管和光电倍增管的最大局限性是它只能探测波长小于1.6微米的光。
光电管 主要由密封在玻璃壳内的光电阴极和阳极组成，如玻璃壳内抽成真空就构成真空光电管；如玻璃壳内充入选定的气体，使光电阴极发射的光电子经过气体电离放大,从而提高其灵敏度,则称为充气光电管。光电管的典型结构是中心阳极型。它的玻璃壳呈球形，并在内半球面上形成光电阴极,阳极制成小球或小环形,置于玻璃壳的中心。它具有光照面积大，到达玻璃壳的时间分散性小，极间电容小的优点。常用光电阴极有锑铯型、银氧铯型、铋银氧铯型、多碱型及负电子亲和势型，可对不同的谱段敏感。总的来说，光电管的灵敏度低、体积大、容易破碎，因此正逐步为固态光电探测器所代替。
光电倍增管 由光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极四部分组成。光电阴极接受入射的光子后发射出光电子。电子光学系统使光电子在电场的作用下汇集到第一电子倍增极上。受电场加速的光电子射到倍增极上会激发出更多的电子，称为次级电子。次级电子数与入射电子数的比值称次级发射系数，一般为3～6。光电子经电子倍增系统中多级倍增极的倍增（增益系数达104～108）,最后被阳极收集形成阳极电流。二种典型的结构示于图、内。非聚焦型的渡越时间分散性大。聚焦型的采用合理的倍增极形状,减小了渡越时间分散性,能响应几百兆赫的调制光。
近十年来从事负电子亲和势光电阴极和倍增极研究所取得的成果把响应光的长波阈值推到1.6微米,量子效率显著提高，倍增极的次级发射系数提高1～2个数量级。有可能制造出级数少、增益大、时间常数小的快速光电倍增管。
另一个重要进展是出现了通道式光电倍增管，它的主要改进在于采用了通道式电子倍增器。这是在一直管或弯管的内壁涂以高阻的次级发射材料，管端施加几千伏的直流高压，光电子经电场加速射到壁上发射出次级电子，这个过程多次重复而得到高增益。这种器件的时间常数只有十分之几纳秒。常用于探测真空紫外辐射。
光电倍增管在探测弱光、高频调制的光或光脉冲方面获得广泛应用。在有些情况下它已被光电雪崩二极管所取代，但是它的低噪声电平仍然是其独有的特性。光电管和光电倍增管的最大局限性是它只能探测波长小于1.6微米的光。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条