1) Bi-system thin films
铋系铁电薄膜
3) ferroelectric film
铁电薄膜
1.
The influence of the surface and interface effects on the polarization distribution in ferroelectric films;
表面和界面效应对铁电薄膜极化分布的影响
2.
Effect of stress on the ferroelectric properties of ferroelectric film;
应力对铁电薄膜电滞回线及蝶形曲线的影响
3.
Separated precursor-monomer for sol-gel preparation PZT ferroelectric film;
Sol-gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术
4) ferroelectric thin films
铁电薄膜
1.
The effect of different electrode on the dielectric properties of lanthanum-doped lead titanate ferroelectric thin films;
不同电极形式对掺镧钛酸铅铁电薄膜的介电性能的影响
2.
The preparation and properties of PZT ferroelectric thin films with cobalt and Nb-doping;
Co和Nb掺杂PZT铁电薄膜的制备及性能研究
3.
Effect of heat treat temperature on the microstructure of PbSc_(0.5) Ta_ (0.5)O_3 ferroelectric thin films;
热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响
5) ferroelectric thin film
铁电薄膜
1.
Study development on preparing ferroelectric thin film by sol-gel process;
溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的研究进展
2.
Design of DSP - based ferroelectric thin film parameters test system;
基于DSP的铁电薄膜参数测试系统设计
3.
Optimization of seed layer of PbTiO_3/PbZr_(0.3)Ti_(0.7)O_3/PbTiO_3 sandwich structure ferroelectric thin film;
PbTiO_3/PbZr_(0·3)Ti_(0·7)O_3/PbTiO_3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化
6) Ferroelectric films
铁电薄膜
1.
Influences of annealing on the micro-structure of STO ferroelectric films;
热处理对STO铁电薄膜微结构的影响
2.
Impact of stress on the thermodynamic properties of ferroelectric films within the Transverse Ising model;
用横场伊辛模型研究应力对铁电薄膜的热力学性质的影响
3.
The study of the depolarization field influence on ferroelectric films within the TIM model;
用横场伊辛模型研究退极化场对铁电薄膜的影响
补充资料：含铋层状氧化物铁电体
分子式：
CAS号：
性质：化学通式为：(Bi2O2)2+(Ax-1BxO3x-1)2-，式中，x为钙钛矿层厚度方向的元胞数，其值为1～5；A为较大阳离子，配位数为12；B为较小阳离子，配位数为6。A、B离子组合应满足∑XAVA+∑XBVB=6x，式中，x为相应于A、B位离子浓度，V为相应于A、B位离子的离子价态。这类层状氧化物中凡具有铁电行为的化合物就称为含铋层状结构氧化物。其结构是由二维钙钛矿层和层有规则地相互交替排列而成，沿层面具有较好的解理性。自发极化强度较高。压电性能和介电性能的各向异性大。居里温度高。自发极化强度、机械品质因素、频率的时间稳定性和温度稳定性都较高。常规陶瓷工艺很难获得致密烧结体，需用热压烧成新工艺。：PbBi2Nb2O9，BaBi2Nb2O9，SrBi2TaO9，Bi4Ti3O12，PbBi4Ti4O15，PbBi4Ti5O18等属这类铁电体。用于制作滤波器，换能器等。
CAS号：
性质：化学通式为：(Bi2O2)2+(Ax-1BxO3x-1)2-，式中，x为钙钛矿层厚度方向的元胞数，其值为1～5；A为较大阳离子，配位数为12；B为较小阳离子，配位数为6。A、B离子组合应满足∑XAVA+∑XBVB=6x，式中，x为相应于A、B位离子浓度，V为相应于A、B位离子的离子价态。这类层状氧化物中凡具有铁电行为的化合物就称为含铋层状结构氧化物。其结构是由二维钙钛矿层和层有规则地相互交替排列而成，沿层面具有较好的解理性。自发极化强度较高。压电性能和介电性能的各向异性大。居里温度高。自发极化强度、机械品质因素、频率的时间稳定性和温度稳定性都较高。常规陶瓷工艺很难获得致密烧结体，需用热压烧成新工艺。：PbBi2Nb2O9，BaBi2Nb2O9，SrBi2TaO9，Bi4Ti3O12，PbBi4Ti4O15，PbBi4Ti5O18等属这类铁电体。用于制作滤波器，换能器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条