1) primary voids
一次空穴
1.
It is found that, with blunting to verticles while crack initiating, crack propagating in 16Co14Ni10Cr2Mo steel is an alternative process through coalescence of microvoids, including primary voids and secondary voids located on high-energy interfaces.
研究发现，该钢种裂纹钝化方式为角形钝化，裂纹的扩展是高能界面上空穴连接够有选择性的过程，与一次空穴和二次空穴的形成有关。
2) secondary voids
二次空穴
1.
It is found that, with blunting to verticles while crack initiating, crack propagating in 16Co14Ni10Cr2Mo steel is an alternative process through coalescence of microvoids, including primary voids and secondary voids located on high-energy interfaces.
研究发现，该钢种裂纹钝化方式为角形钝化，裂纹的扩展是高能界面上空穴连接够有选择性的过程，与一次空穴和二次空穴的形成有关。
3) Double home in one
再次一棒入穴
4) primary air
一次空气
1.
Based on numerical simulation, obtains the distributions of the dry-bulb temperature of primary air and the dry-bulb and wet-bulb temperatures of secondary air along the flow direction of primary air and secondary air, and the temperature variation of water falling film.
建立了数学模型,对叉流平板式间接蒸发冷却过程进行了数值模拟分析,得到了分别沿一、二次空气流动方向一次空气干球温度和二次空气干湿球温度的分布,以及水膜温度的变化情况。
5) a P-n junction
电子一空穴结
6) primary air
一次风，一次空气
补充资料：《半导体中的电子和空穴》
关于半导体物理和晶体管电子学理论的权威著作，美国物理学家、晶体管发明人之一W.B.肖克莱著，1950年出版。本书总结对半导体中物理过程的认识，阐述晶体管电子学的理论基础。作者在本书中首次把半导体物理中关于电子过程的基本理论、半导体器件分析、设计和电路应用等内容称为晶体管电子学。本书对半导体物理的发展具有重要意义。全书分为三部分，共17章。第一部分为晶体管电子学引论，利用半导体实验所得到的结果阐明一些理论概念，特别是对电子空穴的注入问题进行了定量研究；第二部分是关于半导体的描述性理论，讨论了半导体中的电子能态、电子和空穴在电磁场中的行为，以及电导率和霍尔效应理论等；第三部分为量子力学基础，叙述基本量子理论如何导致产生电子和空穴的抽象概念，讨论了半导体的统计理论和电子、空穴的跃迁几率理论，论述了与电子导电有关的课题，如电子和空穴的速度、电流和加速度的理论等。本书中所采用的一些基本物理概念和理论分析在后来的半导体物理研究中得到了广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条