1) spin transistor
自旋晶体管
1.
Magnetoresistance effect of double-barrier magnetic tunneling junction applied in spin transistors;
双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用
2.
The principle of the new microelectronic devices, spin transistor and spin valve transistor is reviewed.
介绍了新型微电子器件自旋晶体管和自旋阀晶体管的工作原理。
3.
Spin transistor is as the same common transistor,which can be used IC electronic circuit in the future.
利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe/Ag/NiFe全金属自旋晶体管试样。
2) spin field-effect transistor
自旋场效应晶体管
1.
The spin field-effect transistor proposed by Datta and Das is a major step in spintronics device, and it is one of important research topics now.
自旋极化电子注入和自旋场效应晶体管在自旋电子学及其器件应用方面有着重要的意义和作用。
3) self-aligning gate transistor
自控栅极晶体管
4) spin lattices
自旋-晶格
5) crystal-fields and spin Hamiltonians
晶体场和自旋哈密顿
6) optically active crystal
旋光晶体
1.
For the better achievement of electro-optical(E-O)Q-switch in optically active crystal,the propagation of the light in the optically active crystal with applied electric field was studied in the theory.
为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条