1) bus power equation in all polar coordinates
完全极坐标型母线功率方程
1.
To present a Newton-Raphson algorithm of bus power equation in all polar coordinates.
详细论述了电力系统输电网络完全极坐标型母线功率方程的牛顿－拉夫逊算法，编程简单，应用方便
2) tangential polar coordinates equation
切线极坐标方程
1.
An analysis of living example was carried out by the use of C language programming and obtained the tangential polar coordinates equation of the optimal pitch curve of noncircular chain wheel.
探讨了非圆链轮传动中,基于理论松弛量的非圆链轮节曲线的优选,建立了在最小理论松弛量时,非圆链轮节曲线优选的数学模型,并利用C语言编程进行了实例分析,得出了最优非圆链轮节曲线的切线极坐标方程。
3) polar coordinates equation
极坐标方程
1.
Right angle coordinate equation and polar coordinates equation mutually melt is one of places easy to make mistakes in studying Analytic geometry.
直角坐标方程与极坐标方程的互化是学习解析几何易出错的地方之一。
2.
In this paper, the symmetry of curved lined given by parametric equation and polar coordinates equation is discussed and the sufficient conditions are given.
本文讨论了参数方程和极坐标方程表示的曲线的对称性 ,给出了判定这两种曲线的对称性的充分条件。
4) world coordinates
完全坐标
5) full bus
完全母线
6) fully nonlinear equation
完全非线性方程
补充资料：双极型功率晶体管
最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。
结构和工作原理 图2是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区,4为发射结，5为集电结。图3示其工作原理（对于PNP型器件,则需要将两组电源极性反接）, 其中基极加0.6V左右的正向偏压,集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。图4是与图3相对应的器件的共发射极输出特性，它反映了器件的基极控制作用及不同的Ib下,Ic与Vce之间的关系。从图4中看出,特性曲线明显分成3个区。在线性区，Ic与Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区,器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区妭CE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。
进展和应用 20世纪50～60年代，功率晶体管主要是锗合金管。它制作简单，但耐压不高（几十伏），开关频率也较低（十几千赫）。80年代的大功率高压器件大都为硅平面管,用二次扩散法制得。其中GTR的容量是所有功率晶体管中最大的，80年代中期已有600A/150V 、400A/550V、50A/1000V等几种。GTR的开关频率上限大致为100千赫。
功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路,工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR 的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时,GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管,GTR的开关频率较低（采用复合结构时,频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。
自80年代中期以来,GTR正向大容量、复合管及模块组件化等方向发展，将在几百千瓦或更大容量的装置中取代晶闸管。
结构和工作原理 图2是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区,4为发射结，5为集电结。图3示其工作原理（对于PNP型器件,则需要将两组电源极性反接）, 其中基极加0.6V左右的正向偏压,集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。图4是与图3相对应的器件的共发射极输出特性，它反映了器件的基极控制作用及不同的Ib下,Ic与Vce之间的关系。从图4中看出,特性曲线明显分成3个区。在线性区，Ic与Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区,器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区妭CE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。
进展和应用 20世纪50～60年代，功率晶体管主要是锗合金管。它制作简单，但耐压不高（几十伏），开关频率也较低（十几千赫）。80年代的大功率高压器件大都为硅平面管,用二次扩散法制得。其中GTR的容量是所有功率晶体管中最大的，80年代中期已有600A/150V 、400A/550V、50A/1000V等几种。GTR的开关频率上限大致为100千赫。
功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路,工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR 的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时,GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管,GTR的开关频率较低（采用复合结构时,频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。
自80年代中期以来,GTR正向大容量、复合管及模块组件化等方向发展，将在几百千瓦或更大容量的装置中取代晶闸管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条