1) capacitance compensation
电容补偿技术
2) electrical beams compensating technique
电子束补偿技术
3) Voltage compensation technique
电压补偿技术
4) resistance compensation technology
电阻补偿技术
5) charge self-compensation techniques
电荷自补偿技术
1.
A charge self-compensation techniques,based on the dynamic node of the P-type charging dynamic node of N-type,is proposed in this paper.
提出了电荷自补偿技术,此技术利用P型多米诺电路动态结点的放电对N型多米诺电路的动态结点充电,并在此技术基础上综合应用双阈值技术和多电源电压技术,设计了新型低功耗、高性能Zipper CMOS多米诺全加器。
补充资料：串联电容补偿装置工程实例
串联电容补偿装置工程实例
examples of series capacitor/compensator projects
ehuanllond一onrong buehong zhuongzh一gongeheng sh一l-申联电容补偿装t工程实例(examplesofseries eaPaeitor/eomPensator Projeets)介绍500 kV麦克利斯(MeLeese)申补站和魁北克省735kV串联电容补偿装t系统. 500 kv安克利斯(McLee肚).补站介绍该站的系统概况、主要技术数据及其特点。(参见彩图擂页第36页115图) 系统概况McLeese串补站位于加拿大不列翔哥伦比亚省温哥华市以北约350 km处.它是斯拉姆(G.M.Shrum)与和平峡(Peaee Canyon)至退哥华地区长达gookm输电工程的一部分.该工程主要由3回500 kV翰电线路及9个申联电容补偿装里组成，总翰送能力为3300 MW.这些串补站显著提高了系统的暂态稳定性和粉送能力，改善了系统的电压控制和无功调节.McLesse申补站位于其中部，其有3个今联电容补偿装1分别申联在3回翰电线路中，称之为MeLee，犯1 .MeLeesel与MeLeesel。 主要技术数据见表1。 衰1 500kvMcl潇翻此申补站主要技术傲.┌───────┬────┬─────┬─────┐│串联电容补偿 │MeLeesel│MeLeesel │MeLeese口 ││ 装1名称 │ │ │ │├───────┼────┼─────┼─────┤│投产时间 │1969年 │1969年 │1995年 │├───────┼────┼─────┼─────┤│倾定容t(Mvar) │616 │6 16 │605 │├───────┼────┼─────┼─────┤│倾定容抗(n) │54。0 │54.0 │53.0 │├───────┼────┼─────┼─────┤│撅定电流(kA) │1 .95 │1 .95 │1 .95 │├───────┼────┼─────┼─────┤│过电压保护方式│旁路间陈│旁路问除 │MOV(无旁 ││ │+2个旁路│十2个旁路 │路间陈)+1 ││ │开关 │开关 │个旁路开关│├───────┼────┼─────┼─────┤│MOV橄定容t │无 │无 │285 ││ (MJ) │ │ │ │├───────┼────┼─────┼─────┤│单台电容界倾定│1 11 │1 11 │940 ││ 容t(kvar) │ │ │ │└───────┴────┴─────┴─────┘ 特点①运行情况:McLeesel和I虽建于1969年，但现在仍能正常运行，只是由于当时电容器和旁路开关的制造水平较低，现在要每年维护一次.时间约一个月。
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参考词条