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1)  Appearance potential spectroscopy (APS)
出现电势谱(APS)
2)  APS (appearance potential spectroscopy)
出现电势谱[技术]
3)  appearance potential spectrometer
出现电热谱仪
4)  appearance potential spectrometer(APS)
出现电热谱法
5)  Appearance potential
出现势
1.
The appearance potentials of the fragments CH3OCH2CH3+ and CH3OCH2+ are found at (9.
04)eV,碎片离子CH_3OCH_2CH_3~+和CH_3OCH_2~+的出现势分别为(9。
2.
The appearance potentials(AP)of these ions are obtained from their PIE curves.
通过质谱测量各离子的光电离效率曲线,得到了该分子的垂直电离能及主要碎片离子的出现势。
3.
04eV) and appearance potentials of various fragment ions have been determined by measuring their photoionization efficiency curves.
利用同步辐射真空紫外光,研究了HFC-152a(CH3CHF2)的光电离和光解离过程,通过测量各离子的光电离效率曲线,得到了该分子的电离能(11·94±0·04eV)和所有碎片离子的出现势,运用GAUSSIAN-03程序计算了母体和碎片及相应离子的结构、电子态和能量。
6)  Appearance potential
离子出现势
补充资料:出现电势谱
      表面分析用芯能级谱的一个大类。简称 APS。它用能量逐渐增长(50→1500电子伏)的电子轰击固体表面。并测定次级粒子的产额。当入射电子的能量E0超过某一阈值(相当于某一出现电势)时,就有可能激发固体原子,使某一芯能级EB上的电子跃迁到费密能级E0以上空带中的某一位置,而在该能级上留下空穴,如图1a所示;然后在退激发(电子重新落入空穴)时将产生俄歇电子或相当于芯能级束缚能(EB-E0)的标识X射线,如图1b所示。因此测定次级粒子流强度I与入射电子能量 E0之间的关系就可以得到一种相当于测定芯能级束缚能的谱,可用作元素分析以判明固体表面的成分。由于不同元素的各个芯能级束缚能相差很大,所以APS的谱线清晰易读(图2),不会发生混淆;加以不需要能量分析器,仪器结构比较简单,所以是一种很有用的表面?治龇椒ā?
  
  上述方法还可以按所测粒子的种类分为"软X射线出现电势谱(SXAPS)"和"俄歇电子出现电势谱(AEAPS)"两种。前者灵敏度较低,一般需要毫安级的入射电子流,因而用于测定较深的芯能级(束缚能>500eV)时,可能会在样品表面造成损伤。后者灵敏度较高,只需要10??A左右的入射电子流,损伤可以忽略,但缺点是较低能量(<300eV)的电子出射时会由于固体原子的衍射而产生附加信息,干扰正常谱的读出。所以合理的办法是在较低能量时用SXAPS而在较高能量时用AEAPS。
  
  从理论上说来,入射粒子也可以采用适当(相当于软X 射线波段)的光子,这样可完全避免对样品表面的损伤。但鉴于单色性良好的X射线源(例如同步辐射)目前尚不普遍,有人就使用能量渐变的电子轰击金属靶所产生的赝单色X 射线源作为入射粒子,而测定俄歇电子的产额。这就是所谓"X 射线光电子出现电势谱(XPAPS)"。但实验结果表明这种方法的灵敏度很低,不适于一般的表面分析。然而,如用某一元素的标识X 射线来照射另一个表面含有这一元素的样品,则后者所对应的芯能级上的电子会产生共振跃迁,而在退激发时再产生俄歇电子。具体的作法是把同一固体材料分为两块:一块作为受电子轰击的X 射线管阳极(靶),另一块作为被测样品。逐渐改变阳极电压至某一阈值(出现电势)而测定样品的出射电子产额,可得到"共振光电子出现电势谱(RPAPS) "。由于共振跃迁具有选择性滤波功能,因此RPAPS的灵敏度和分辨率都优于一般的出现电势谱,只是样品的制备要略为复杂一些。
  
  已经发现,出现电势谱对各元素的相对灵敏度与俄歇电子谱(AES)不同,它对碳、氧、硫并不特别灵敏,却能对3d和4f过渡金属给出最佳灵敏度,因此适于作为探测这一类元素的表面分析。在能谱研究方面,APS能给出空带态密度的信息,而AES给出的是满带态密度信息,二者是互补的。从APS也能看出氧化造成的谱位移,但不如X射线光电子谱(XPS)清晰。此外,也有人用AEAPS的谱边形状来测定表面结构。这种方法称为"扩展出现电势精细结构(EAPFS)",与扩展X 射线吸收精细结构(EXAFS)的原理相类似,由于存在问题,目前尚用得不多。
  
  同 APS的物理过程相类似的,还有一种消隐电势谱(DAPS)。由于入射电子能量达到阈值时有一部分激发芯能级电子失去其能量,然后在固体中消隐,因此如观察准弹性反射的电子流就会发现骤降,这同样可作为固体原子EB的指示。实际上这就是APS的负过程。DAPS的特点是只与激发过程有关,而不受退激发过程的干扰;而且由于所观察的电子是从表面进入和发出的同一电子,因此比APS或AES更为"表面灵敏"(一般为1~3个原子层的信息)。但是DAPS要使用电子能量分析器以分离出电子流中准弹性反射的部分,因此仪器结构要比APS复杂。
  

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参考词条