补充资料：合成镁钙砂显微结构

合成镁钙砂显微结构
microstructure of sintered synthetic MgO-CaO clinker

　　heeheng meigaisha xianwei liegou合成镁钙砂显微结构(microstructureofsintered synthetieM扣一CaO elinker)由方镁石、方钙石等组成的多相均一型显微结构。根据杂质种类还可出现M:S，CMS，CoMS:，C:S，CsS，CA，e，2A7，C3A及eZF等次晶相。 结构中，方镁石、方钙石的体积分数和分布特性受物料组成与均化程度控制。对于R:O:含量一定的Mgo一eao一R:03一510:系统，固一固直接结合率随cao/Mgo比例而变化。在较宽的组成范围内，方镁石一方钙石异相间结合率(从一M/N)较同相间结合率(NM一M/N，N。一。/N)高，这表明第二固相对调整显微结构的贡献，(图1〕 0.30resse一一一一一一一-一一一一-一一一一一-一-~一一一一一--一-一， 0.25卜J尸口口~.~..0_二叫里) 次0.20卜厂一产尸一一、、、、l ~O。10卜月/，、，、‘、了尸1 O。05以，N.二奋尸一、.1 O‘月.目目巴二二二』巴wewe~L一人一-~一L-es一-二乙二二二巴弓巴公，J.侧以-习 90 80 7060 50 40 30 20 100 Ca0M扣 M扣/% 图1 MgO一cao一RZO:混合物固一固结合率 均化的CaO含量小于(或等于)15%的M扣-cao‘RZO3一510:系统，方钙石晶体粒子均匀分布于方镁石基质相中(图2)。 表征方钙石相粒子邻接程度的平均自由距离(劝和毗连性参数(C矽与材料的抗水化性之间存在相关性。平均自由距离为沿相邻分敬相的直线上两粒子何的平均距离，表示为几二(1一V，)/NL，式中V，为相体积分数，可用叭一众二尸，测攀:NL为单位长度测试线截取的顺粒数。相毗连性参数(几)表示为: _4(p，一)。。 C。。二一，二乙拼共法气气 ”““4(PL)。+4(PL)。p式中(尸L)Qa及(尸L)叩分别为抛光面上单位长度测试线和方钙石同相及方钙石一方镁石异相界面的截点数。Cao含量为15%一多。%(质量)的均化系统单晶方钙石出现频数随Cao含量增加而降低。方钙石多晶 集团的出现，降低了显微结构的均一性。(图3)…一_蘸 图ZMgo一Cao(c ao簇15%)系耐火材料显微结构篡 图3MgO一CaO(Caols环一30%)系耐火 材料显微结构 (杨兴华)
　　

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