1) Impurities scattering
杂质散射
1.
Taking into account the impurities scattering in the insulating layer and rough interface scattering in the normal metal/insulating layer/s-wave superconductor tunnel junctions,using Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)theory and Bogoliubove-de Gannes(BdG) eguations,We calculate the differential conductance.
在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中,考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Blon-der-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,计算系统的微分电导。
2) scatterer
['skætərə]
散射杂质
1.
Theoretical study of effects of single scatterer on leaky electron waveguide;
单个散射杂质对电子波导影响的理论研究
3) neutral impurity scattering
中性杂质散射
1.
The results show that at lower doping concentration,neutral impurity scattering has little influence on the electron mobility perpendicular to the principal c axis.
研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小。
2.
The acoustic phonon deformation potential scattering,polar optical phonon scattering,intervalley phonon deformation scattering,ionized impurity scattering and neutral impurity scattering are considered.
在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射。
3.
Theoretical calculations have been made on the electron Hall mobility and Hall scattering factor in the nitrogen-doped 4H-SiC based on an simplified analytical low field transport model considering five main scattering mechanisms including neutral impurity scattering.
结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制。
4) impurities scattering effect
杂质散射效应
5) ionized impurity scattering
电离杂质散射
6) long-range electron-impurity scattering
长程电子杂质散射
补充资料：弹性散射和非弹性散射
| 弹性散射和非弹性散射 elastic scattering and inelastic scattering 使用粒子间碰撞来研究粒子的性质、相互作用和内部结构的两种情况。如果碰撞过程中两粒子间只有动能的交换，粒子类型、其内部运动状态和数目并无变化，则称为弹性散射或弹性碰撞。如果碰撞过程中除了有动能交换外，粒子的数目、类型和内部状态有所改变或转化为其他粒子，则称为非弹性散射或非弹性碰撞。 散射过程的研究对于了解许多物理现象具有很重要的意义。例如E.卢瑟福对a粒子被物质散射的研究，提出原子的有核模型；J.弗兰克和G.L.赫兹的电子与原子碰撞实验证实了N.玻尔的定态假设；建造高能加速器就是利用被加速粒子的散射过程来研究粒子的性质、相互作用和相互转化的规律。60年代末到70年代初利用高能轻子对质子和中子的深度非弹性散射的实验，发现质子和中子内部存在点状结构。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条