磨抛加工,grinding and polishing,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) grinding and polishing

磨抛加工

2) grinding and polishing

磨抛

Polarized-light microscopy,X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectrum were adapted to analyze the makeup,structure and mechanism of the surface layer of ceramic tile and granite after grinding and polishing.

采用偏光显微分析、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析等测试手段,对玻化砖和花岗石磨抛加工后材料表面的组成、结构和生成机理进行了研究。

3) Mechanical polishing

机械磨抛

4) polishing

打磨抛光

The variation of micro defects on polishing was followed.

用原子力显微镜技术研究了黑色金属漆漆膜表面在打磨抛光处理过程中,漆膜表面形貌在纳米尺度上的变化图象,跟踪了在抛光过程漆膜表面微观缺陷的变化,认为在漆膜抛光时发生在表面的摩擦过程导致漆膜表面微观形貌变化,大量的微观裂纹的出现及在抛光过程中的亚微观缺陷尺寸的变化,对漆膜表面特征有一定影响。

5) polishing disk

磨抛盘

On the basis of analysing the character of granite and its polishing technology, thewriters have manufactured a kind of polishing disk to polish granite and good results have been ob-tained.

本文在分析了花岗石材料的特点及现有磨抛工艺的基础上,研制了一种软金属磨抛盘,对花岗石进行精细磨抛,取得了好的效果。

6) Lapping and polishing

磨抛工艺

参考词条

磨(抛)光转磨抛光自动磨抛机研磨抛光机垂直轴磨抛金相磨抛法双面研磨抛光数控研磨抛光研磨抛光砂轮研磨抛光工艺化学研磨抛光精密研磨抛光固结软磨料磨抛行星滚磨抛光致毒活性相对跃迁量

补充资料：切削加工:珩磨

用镶嵌在珩磨头上的油石(也称珩磨条)对精加工表面进行的精整加工(见切削加工)。珩磨主要用于加工孔径为5～500毫米或更大的各种圆柱孔﹐如缸筒﹑阀孔﹑连杆孔和箱体孔等﹐孔深与孔径之比可达10﹐甚至更大。在一定条件下﹐珩磨也能加工外圆﹑平面﹑球面和齿面等。圆柱珩磨的表面粗糙度一般可达R0.32～0.08微米﹐精珩时可达R0.04微米以下﹐并能少量提高几何精度﹐加工精度可达IT7～4。平面珩磨的表面质量略差。
珩磨一般采用珩磨机﹐机床主轴与珩磨头一般是浮动联接﹔但为了提高纠正工件几何形状的能力﹐也可以用刚性联接。珩孔时﹐珩磨头外周一般镶有2～10根油石﹐由机床主轴带动在孔内旋转﹐并同时作直线往复运动﹐这是主运动﹔同时通过珩磨头中的弹簧或液压力控制油石均匀外涨﹐对被加工的孔壁作径向进给。图1 内圆珩磨示意图

为内圆珩磨示意图。珩磨头每分钟往复次数与转数之比应取非整数﹐使磨料在工件表面形成的加工痕迹成为交叉的网纹而不相重复。图2 珩磨运动轨迹

为单条油石在孔内珩磨时的运动轨迹。油石上下往复一次﹐工件回转一圈多。粗珩油石的磨料粒度为120～180﹐精珩用W28以下的细粒度油石。油石宽为3～20毫米﹐长度约为孔长的1/3～3/4。油石在孔内往复移动时﹐两端超越孔外的长度不宜大于油石全长的1/3﹐否则易产生喇叭口﹔但超程小于油石长度1/4时﹐又会使孔呈鼓形。外圆﹑平面的珩磨原理和操作要求与内圆珩磨相同。
珩磨余量一般不超过0.2毫米。珩磨的圆周速度﹐对钢材加工约为15～30米/分﹐对铸铁或有色金属加工可提高到50米/分以上﹔珩磨的往复速度不宜超过15～20米/分。油石对孔壁的压力一般为0.3～0.5兆帕﹐粗珩时可达1兆帕左右﹐精珩可小于0.1兆帕。由于珩磨时油石与工件是面接触﹐每颗磨粒对工件表面的垂直压力只有磨削时的1/50～1/100﹐加上珩磨速度低﹐故切削区的温度可保持在50～150℃范围内﹐有利于减小加工表面的残余应力﹐提高表面质量。为了冲刷切屑﹐避免堵塞油石﹐同时降低切削区温度和降低表面粗糙度﹐珩磨时采用的切削液要有一定的工作压力并经过滤。切削液大都采用煤油﹐或煤油加锭子油﹐也有采用极压乳化液的。

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1) grinding and polishing 磨抛加工 2) grinding and polishing 磨抛 1. Polarized-light microscopy,X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectrum were adapted to analyze the makeup,structure and mechanism of the surface layer of ceramic tile and granite after grinding and polishing. 采用偏光显微分析、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析等测试手段,对玻化砖和花岗石磨抛加工后材料表面的组成、结构和生成机理进行了研究。 3) Mechanical polishing 机械磨抛 4) polishing 打磨抛光 1. The variation of micro defects on polishing was followed. 用原子力显微镜技术研究了黑色金属漆漆膜表面在打磨抛光处理过程中,漆膜表面形貌在纳米尺度上的变化图象,跟踪了在抛光过程漆膜表面微观缺陷的变化,认为在漆膜抛光时发生在表面的摩擦过程导致漆膜表面微观形貌变化,大量的微观裂纹的出现及在抛光过程中的亚微观缺陷尺寸的变化,对漆膜表面特征有一定影响。 5) polishing disk 磨抛盘 1. On the basis of analysing the character of granite and its polishing technology, thewriters have manufactured a kind of polishing disk to polish granite and good results have been ob-tained. 本文在分析了花岗石材料的特点及现有磨抛工艺的基础上,研制了一种软金属磨抛盘,对花岗石进行精细磨抛,取得了好的效果。 6) Lapping and polishing 磨抛工艺参考词条磨(抛)光转磨抛光自动磨抛机研磨抛光机垂直轴磨抛金相磨抛法双面研磨抛光数控研磨抛光研磨抛光砂轮研磨抛光工艺化学研磨抛光精密研磨抛光固结软磨料磨抛行星滚磨抛光致毒活性相对跃迁量补充资料：切削加工:珩磨用镶嵌在珩磨头上的油石(也称珩磨条)对精加工表面进行的精整加工(见切削加工)。珩磨主要用于加工孔径为5～500毫米或更大的各种圆柱孔﹐如缸筒﹑阀孔﹑连杆孔和箱体孔等﹐孔深与孔径之比可达10﹐甚至更大。在一定条件下﹐珩磨也能加工外圆﹑平面﹑球面和齿面等。圆柱珩磨的表面粗糙度一般可达R0.32～0.08微米﹐精珩时可达R0.04微米以下﹐并能少量提高几何精度﹐加工精度可达IT7～4。平面珩磨的表面质量略差。珩磨一般采用珩磨机﹐机床主轴与珩磨头一般是浮动联接﹔但为了提高纠正工件几何形状的能力﹐也可以用刚性联接。珩孔时﹐珩磨头外周一般镶有2～10根油石﹐由机床主轴带动在孔内旋转﹐并同时作直线往复运动﹐这是主运动﹔同时通过珩磨头中的弹簧或液压力控制油石均匀外涨﹐对被加工的孔壁作径向进给。图1 内圆珩磨示意图为内圆珩磨示意图。珩磨头每分钟往复次数与转数之比应取非整数﹐使磨料在工件表面形成的加工痕迹成为交叉的网纹而不相重复。图2 珩磨运动轨迹为单条油石在孔内珩磨时的运动轨迹。油石上下往复一次﹐工件回转一圈多。粗珩油石的磨料粒度为120～180﹐精珩用W28以下的细粒度油石。油石宽为3～20毫米﹐长度约为孔长的1/3～3/4。油石在孔内往复移动时﹐两端超越孔外的长度不宜大于油石全长的1/3﹐否则易产生喇叭口﹔但超程小于油石长度1/4时﹐又会使孔呈鼓形。外圆﹑平面的珩磨原理和操作要求与内圆珩磨相同。珩磨余量一般不超过0.2毫米。珩磨的圆周速度﹐对钢材加工约为15～30米/分﹐对铸铁或有色金属加工可提高到50米/分以上﹔珩磨的往复速度不宜超过15～20米/分。油石对孔壁的压力一般为0.3～0.5兆帕﹐粗珩时可达1兆帕左右﹐精珩可小于0.1兆帕。由于珩磨时油石与工件是面接触﹐每颗磨粒对工件表面的垂直压力只有磨削时的1/50～1/100﹐加上珩磨速度低﹐故切削区的温度可保持在50～150℃范围内﹐有利于减小加工表面的残余应力﹐提高表面质量。为了冲刷切屑﹐避免堵塞油石﹐同时降低切削区温度和降低表面粗糙度﹐珩磨时采用的切削液要有一定的工作压力并经过滤。切削液大都采用煤油﹐或煤油加锭子油﹐也有采用极压乳化液的。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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