1) great power single phase load
大功率单相负载
1.
A balance circuit is given for great power single phase load through analyzing and calculating three phase circuit.
通过对三相电路的分析、计算， 介绍了一种大功率单相负载的平衡电路， 从而为船电中常见的由大功率单相负载而引起三相电的不平衡问题， 找到了一种有效的解决方法。
2) high power load
大功率负载
3) high power dummy-load
大功率干负载
1.
This paper introduces the developments of SLED detuning system, accelerating section, high power waveguide valve, high power dummy-load, and medium & high power waveguide attenuator/phase shifters.
本文首先介绍了关键部件的改造研制情况,它包括能量倍增器、加速管、大功率波导阀门、大功率干负载及其中功率和高功率波导衰减／移相器;其次简要介绍了微波系统高功率运行情况。
4) maximum load power
负载最大功率
1.
On the condition that the amplifier is adjusted to critical state,gives output at full extent and marry load best,the efficiency and maximum load power of basic common-emitter amplifier are analyzed.
基于放大器调整到临界状态、满幅度输出和负载匹配的充分必要条件,分析了基本共射放大器效率和负载最大功率。
5) load power
负载功率
1.
True root mean square measurement of multi-user load power;
多用户负载功率的真有效值测量
2.
Clears Up Suspicions That The Diode Half-wave Rectification Load Power;
二极管半波整流调节负载功率释疑
6) Single-phase load
单相负载
1.
4 kV side of such transformer may connect to single-phase load,and bring on the extreme asymmetric operation.
4 kV侧可能接入单相负载,出现极端不对称运行情况,主要运用对称分量法分析这种运行状态下,10 kV侧三相三线制计量装置的计量原理。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条