1) PLZT amorphous films
PLZT非晶薄膜
2) PLZT thin films
PLZT薄膜
1.
Investigations of concentration effects of La on the infrared optical properties of PLZT thin films;
La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响
2.
The electro-optic index of PLZT thin films was measured by means of modulated ellipsometry.
利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数。
3) PLZT thin film
PLZT薄膜
1.
It is an important means to produce optical phase shifter with PLZT thin film which had high performances, such as strong electro-optical effect, fast response speed, good heat stabilization and strong laser endurance.
本文探讨了氩氧比、退火温度、保温时间对PLZT薄膜的微结构、电性能及光学性能的影响;初步探索了利用PLZT电光薄膜实现光学相控阵的原理及其可行性。
4) PLZT ferroelectric thin films
PLZT铁电薄膜
1.
Preparation and properties of PLZT ferroelectric thin films
PLZT铁电薄膜的制备及其性能
2.
In recent years, PLZT ferroelectric thin films have gained attention in processing methods and applications.
近年来,PLZT铁电薄膜制备方法与应用研究引人注目。
5) PLZT nanosized film
PLZT纳米薄膜
6) amorphous thin films
非晶薄膜
1.
60 O 3 (PZT) amorphous thin films were deposited on the fused silica substrates using a modified sol gel processing.
60 O3 (PZT)非晶薄膜 ,测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外可见近红外透射光谱 。
2.
52) amorphous thin films on vitreous silica substrates by RF magnetron sputtering were investigated by UV～VIS～NIR transmittance measurement in the wavelength range of 200～1100nm.
5 2 )非晶薄膜 ,并测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外 可见 近红外透射光谱 。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条