1) nonlinear local prediction model
非线性局部预测模式
1.
Presented in this paper is a new signal processing method which is based on a nonlinear local prediction model (NLLP) and applied to speech coding.
提出了一种新的基于非线性局部预测模式(NLLP)的信号处理方法,并将其应用于话音编码中。
2) Local Linear Predict
局部线性预测
1.
Binomial Model Based on Ito Process and the Local Linear Predictor in Pricing Options;
基于Ito过程的二叉树期权定价模型及局部线性预测法
5) Local nonlinear characteristic
局部非线性
1.
Consideration of the local nonlinear characteristic of large-scale complicated soil site simplifies the equivalent linear method to analyze the seismic response of the soil site.
假定土层计算区域为局部非线性,可简化等效线性化分析过程,通过数值试验给出了局部非线性区域的取值范围。
6) local nonlinear
局部非线性
1.
By means of impulsive response method to analyze random vibration of local nonlinear system, the effects of engine s vibration on vehicle body are presented in the paper.
本文采用局部非线性系统的脉冲响应分析方法,把整车分为线性主体和非线性局部,将车辆悬架的减振器视为非线性元件,以一个六自由度系统为整车模型,综合考虑发动机周期激励和道路不平度随机激励,借助数值计算技术分析和相应的计算机程序,从减小车架振动水平的角度,对发动机减振垫的减振作用以及发动机的转速对车架振动的影响进行分析,寻求其中的规律,以便对现代汽车的优良动力性能设计起到借鉴作用。
2.
In the analysis of dynamic characteristics of space structures, the connecting elementsplay an important role in the overall dynamics of the structure, which often lead to the structureexhibits local nonlinearities.
基于这一结果与系统辨识问题最优控制解的概念，将动力学系统中局部非线性结构参数的辨识问题转化为求解对应线性系统的最优控制问题，利用线性系统随机最优控制的理论与方法，结合FSM（ForceStateMapping）方法，提出了识别动力学系统中局部非线性回复力类型及结构参数的新方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条