1) distribution of misfit dislocation
失配位错的分布
2) misfit dislocation
失配位错
1.
Structure and formation of misfit dislocations in an epitaxial fcc film;
面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程
2.
Conditions for formation of misfit dislocation in epitaxial films—a molecular dynamics study;
外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究
3.
Two types of dissociated misfit dislocations in epitaxial Ba_(0.3)Sr_(0.7)TiO_3 thin films grown on(001) LaAlO_3
钙钛矿型外延薄膜中两种分解失配位错的HRTEM研究
3) misfit dislocation network
失配位错网
4) the ratio of the densities of the misfit dislocations at the upper and lower interfaces
上下界面失配位错的比
5) dislocation distribution
位错分布
1.
The dislocation distribution of Cd1-xZnxTe (CZT) crystal with Vertical Bridgman Method had been analyzed by observing the etch pits density.
使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律。
6) misfit dislocation
(晶格)失配位错
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
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参考词条