1) direct etching
直接刻蚀
1.
We for the first time in China carried out experiments on direct etching of monocrystal silicon with focused KrF excimer laser ( λ =248 nm) beam as shown in Fig.
采用非稳腔的聚焦准分子激光 ( Kr F,λ=2 4 8nm)对单晶硅材料进行直接刻蚀 ,从微结构刻蚀的形状尺寸及加工过程的热效应等方面研究了准分子激光直接刻蚀单晶硅的加工特性。
2.
Based on the laser ablation mechanism, the effect of vapor pressure and thermal conduction on the quality of pattern etching in direct etching with an excimer laser is analyzed.
在激光剥离机制的基础上，分析了激光直接刻蚀过程中，蒸气压及热传导对图形刻蚀质量的影响，并得出了刻蚀不同厚度Ａｌ膜的激光能量密度、脉冲频率和刻蚀脉冲数的最佳组合。
2) direct point-by-point inscription method
直接逐点刻蚀法
3) DC etching
直流刻蚀
1.
Effect of DC etching aluminum current collector on the performance of LiCoO_2 cathode;
直流刻蚀铝集流体对LiCoO_2正极性能的影响
2.
Effect of DC etching of Al current collector on supercapacitors performance;
集流体表面直流刻蚀对超级电容器性能的影响
4) Direct marking
直接标刻
5) contact photolithography
接触光蚀刻
6) directly etching
直接腐蚀
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条