1) BaTiO3-based semiconductor ceramics
钛酸钡系半导瓷
1.
According to defect chemistry of BaTiO3-based semiconductor ceramics,the composition of the interface state was researched.
对形成钛酸钡系半导瓷ＰＴＣＲ效应的界面态进行了探讨，分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因；同时对钛酸钡系ＰＴＣＲ半导瓷界面态的组成进行了研究，并提出一种直接测量界面态密度的方法。
2) BaTiO3 semiconducting ceramics
钛酸钡半导瓷
3) Barium Titanate semiconducting ceramics
钛酸钡半导陶瓷
4) barium titanate semiconductorr ceramic
钛酸钡半导体陶瓷
5) BaTiO 3 based PTCR ceramics
钛酸钡系PTCR陶瓷
6) BaTiO3-based ceramics
钛酸钡系陶瓷
1.
The La, Ce, Pr and Th doped BaTiO3-based ceramics in this paper were sintered by conventional method and their powders were prepared by sol-gel method.
通过对稀土掺杂钛酸钡系陶瓷的阻抗谱的拟和分析,找出了表征介电性能从绝缘体过渡到半导体的四个不同的等效电路,对稀土掺杂钛酸钡陶瓷的晶界电阻、晶粒电阻和极化能力由于不同含量、不同稀土元素的掺入而引起的变化做了系统分析。
补充资料：碳化硅半导瓷
一种重要的陶瓷半导体材料。俗称"金刚砂"。化学式SiC,分子量40，天然产物极少。工业用碳化硅是石英砂与焦炭混合加热至2000～2400℃而制得。纯碳化硅是无色晶体，绝缘电阻很高。含有杂质以及硅或碳过量时,碳化硅呈暗黑色或灰绿色，属半导体。含V族元素杂质和含Ⅱ、Ⅲ族元素杂质的碳化硅晶体分别呈n型和p型；硅过量和碳过量的碳化硅晶体分别呈n型和p型。将半导体碳化硅粉粒加入粘土或玻璃等作粘结剂（加入量约占35～50％），在氢气保护下经过1200～1400℃烧结，可以制造比较致密的碳化硅半导瓷。这种瓷呈灰黑色,具有类似氧化锌半导瓷的非线性伏安特性，也是制造过电压保护器件的重要材料。碳化硅半导瓷的出现和应用都远较氧化锌半导瓷早，但由于其烧结条件较难，非线性特性不如氧化锌半导瓷好，60年代后期以来在电工技术领域的应用不如氧化锌半导瓷发展得快。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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