1) F-dopant
F掺杂
1.
Study on the mechanism of influence on LiMn_2O_4 by F-dopant;
F掺杂影响LiMn_2O_4性能的机理研究
4) N-F codoping
N、F共掺杂
5) Fluorine substitution
F元素掺杂
6) F-doping
F离子掺杂
1.
It was found that the phase formation of rutile was suppressed by F-doping due to the formation of Ti-F ligand.
以NH4F为掺杂剂,采用溶胶-凝胶法制备F离子掺杂型TiO2光催化剂,对其进行XRD、XPS和PL表征,结果表明,F离子掺杂TiO2由于Ti-F配位体的形成而能抑制金红石相的生成,同时F离子掺杂能增加TiO2表面缺陷浓度并降低Ti2P键的结合能,另外,由于F离子能取代Ti-OH配位体而降低了表面羟基氧浓度。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条