1) polycrystalline silicon precipitation
多晶硅沉淀
2) crystallization sedimentation
结晶沉淀
1.
Using the micropore structure of cotton fiber,penetrate Ba~(2+)into the cotton fiber internal,contact PO_3~(3-) and generate phosphoric acid barium and phosphoric acid hydrogen barium crystallization sedimentation in the micropore of cotton fiber.
利用棉纤维所具有的微孔结构,将Ba2+离子渗透到棉纤维内部,再与PO33-离子接触,在棉纤维的微孔中生成磷酸钡和磷酸氢钡结晶沉淀,从而将磷酸钡和磷酸氢钡粒子组装到棉纤维的内部结构中,形成无机粒子/棉纤维复合材料。
2.
Based on the micropore structure of cotton fiber, to penetrate Ba2+ into the cotton fiber and contact PO33- to generate phosphoric acid barium and phosphoric acid hydrogen barium crystallization sedimentation in the micropore of cotton fiber.
利用棉纤维所具有的微孔结构,将Ba2+离子渗透到棉纤维内部,再与PO33-离子接触,在棉纤维的微孔中生成磷酸钡和磷酸氢钡结晶沉淀,从而将磷酸钡和磷酸氢钡粒子组装到棉纤维的内部结构中,形成无机离子／棉纤维复合材料。
3) deposit to get crystal
沉淀析晶
4) grain boundary precipitation
晶界沉淀
1.
The law of variation of grain boundary precipitation with the changing of processing factors and chemical compositions of three strengthened superallys was studied with the application of extracted carbon replica technique on grain surfaces.
用晶界萃取碳复型技术研究了三种不同强化程度高温合金晶界沉淀随工艺因素和成分的变化规律,探讨了晶粒尺寸、晶界沉淀与冲击韧性的关系。
5) precipitation and crystallization
沉淀结晶
1.
Focusing on the research progress of the precipitation and crystallization of proteins,the special phenomenon and crystallization mechanism of such biological macromolecules as proteins,enzymes,etc.
论述了国内外生物大分子 (蛋白质、酶等 )沉淀结晶的研究现状和进展 ,着重从结晶热力学、粒子聚集、结晶的成核与晶体生长 ,以及场的作用等方面阐述了蛋白质沉淀结晶过程的特定现象与可能的结晶机理 ,对蛋白质的沉淀结晶过程作了全面的描述 ,并提出未来研究方向 ,为蛋白质结构分析、新药设计、生化研究以及工业化生产提供一定的基
6) ammonia carbonate
晶型沉淀
补充资料：硅多晶的硅烷法制备
硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process
gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。 美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、 整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。 美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)
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参考词条