1) Nonlinear gain
非线性增益
1.
Influence of nonlinear gain on the dynamics of external injection semiconductor lasers;
非线性增益对外部注入半导体激光器动态行为的影响
2.
With respect to the compensation for the nonlinear gain within the process control system, a complete compensation principle was proposed according to the inverse functions, and two distinct types of compensation characteristic were deduced.
对于过程控制系统设计时的非线性增益补偿问题,根据逆函数,提出了完全补偿原理,并推导出补偿单元特性的两种不同类
3.
In this paper,a new identification technique which uses cyclic pulse signals with different amplitudes as input signals to identify the unknown parameters of nonlinear gain and pulse responses of linear subsystem of wiener system with known structure,is presented,and estimates obtained are strong consistency.
本文针对带有已知结构的非线性Ｗｉｅｎｅｒ系统，提出了利用不同幅值的周期脉冲信号辨识非线性增益未知参数和脉冲响应序列的新方法，获得了强一致性估计，数字仿真研究说明了该方法的有效性和实用性。
2) non-linear variable gain
非线性变增益
1.
In a digital governing system good speed governing performance index through using non-linear variable gains and dynamic gain adjustment can be obtained under any working conditions.
很好地兼顾动、稳态调速性能是柴油机调速系统设计的重要目标,在数字调速系统中,采用非线性变增益和动态增益修正法,可使柴油机在各种工况下均具有良好的调速性能指标。
3) gain satura-tion-induced nonlinearity
增益饱和非线性
4) varying-gain nonlinear
变增益非线性
5) nonlinear DC gain
非线性直流增益
1.
The operational amplifier nonlinear DC gain is modeled with emphasis and simulation results show it introduces odd harmonic distortion.
重点实现一种运放非线性直流增益模型,仿真表明它更有效反映奇次谐波失真,为保证模型真实性,综合考虑调制器其他非理想因素,如时钟抖动、量化器失配、采样噪声、开关非线性电阻以及运放参数(色化噪声、饱和电压、增益带宽、摆率等)。
6) generalized nonlinear gain
广义非线性增益
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条