1) double doped KTP type crystal
双掺KTP型晶体
2) dually doped KTP crystal
双掺质KTP晶体
1.
The frequency doubling effects of the dually doped KTP crystals have been measured by powder frequency doubling method.
结果发现 ,3种双掺质KTP晶体的粉末倍频效应较之KTP均有所提高。
3) doped KTP crystal
掺质KTP晶体
1.
The lattice parameters a0 and b0 of doped KTP crystal are slightly longer than those of pure KTP crystal.
08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长。
4) KTP crystal
KTP晶体
1.
The study on continue wave optical parametrical oscillator of KTP crystal pumped by 514.5nm;
514.5nm泵浦KTP晶体的连续光学参量振荡器的研究
2.
Study on thermal-lens effect of KTP crystal and improvement of beam quality;
KTP晶体热效应与光束质量改善研究
3.
Anisotropic thermal conductivity measurement of KTP crystal using 3ω method;
用3ω法测量非线性KTP晶体各向异性导热系数
5) KTP group crystals
KTP族晶体
6) KTP
KTP晶体
1.
Measurement on Temperature Coefficient of KTP Refractive Index by Optical Parametric Oscillator;
利用光学参量振荡器(OPO)测定KTP晶体折射率温度系数
2.
Experimental Measurements of the Energy Damage Threshold of the KTP Crystals;
KTP晶体能量损伤阈值的实验研究
3.
This paper calculates the allowing angle of interaction of three waves in KTP crystal in smallsignal proximity.
计算了小信号近似下,KTP晶体中三波互作用允许角,分析了允许角随输出波长的变化规律。
补充资料：绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT
IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。 主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。 门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。 发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号 和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条