1) NbN
氮化铌
1.
Filtered vacuum arc plasma deposition apparatus is used to deposit NbN thin films on Si substrate at different temperatures ranging from room temperature(RT) to about 500 ℃.
利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 。
2.
Secondly according to the diagnostic results, taking the 45# steel as the substitute and NbN thin film was deposited on steel and Si (100) substrates by MW-ECR plasma assisted DC reactive unbalance magnetron sputtering.
为了解决核材料铀的腐蚀磨损导致的失效问题，本论文首先用朗缪尔探针对新颖的双谐振腔微波ECR多功能等离子体源离子注入(PSII)系统进行了等离子体诊断，然后根据诊断结果，以45#钢作为替代品，在其表面上以及硅片(100)上采用微波ECR等离子体增强直流反应非平衡磁控溅射的方法制备了氮化铌(NbN)薄膜，同时用发射探针(OES)对实验条件下空间的等离子体成分进行了诊断，最后采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子探针(EPMA)以及、显微硬度、摩擦磨损和阳极极化等方法对制备的薄膜进行了薄膜结构、表面形貌、硬度、磨损和腐蚀特性等方面的表征和分析。
2) niobium nitride
氮化铌
1.
Then it was nitrided by NH 3 at 600～800℃ for 3～8 h and obtained nanosized niobium nitride powder.
以沉淀法制备的高比表面积无定形Nb2 O5 为原料,采用氨解法在600~800℃、氮化3~8 h制备了氮化铌纳米粉体。
3) (Ti,Nb)N
氮化钛铌
5) niobium nitride (NbN)
氮化铌NbN
6) columbium nitride
一氮化铌
补充资料：氮化铌
分子式：
CAS号：
性质：典型的B-1型化合物。氯化钠晶体结构。超导临界温度为17.3K。上临界磁场为43T。临界电流密度Jc，(4.2K，20T)高达2×106A/cm2。热稳定性和化学稳定性高，抗中子辐照，优良的超导薄膜材料。在氩气和氮气混合气体中采用溅射法制取。用于制作高度稳定的超导量子仪器器件。
CAS号：
性质：典型的B-1型化合物。氯化钠晶体结构。超导临界温度为17.3K。上临界磁场为43T。临界电流密度Jc，(4.2K，20T)高达2×106A/cm2。热稳定性和化学稳定性高，抗中子辐照，优良的超导薄膜材料。在氩气和氮气混合气体中采用溅射法制取。用于制作高度稳定的超导量子仪器器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条