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1) the surface dangling band density
悬挂键密度
1.
The effectiv e method with which the surface dangling band density is decreased is the long H -+ treatment time in-situ.
系统研究了 H2 流量和 H+原位处理 Cx H1-x薄膜的时间对 Cx H1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响 ,表明 Cx H1-x薄膜的长时间 H+ 原位处理是减小 Cx H1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径。
2) pendant vinyl groups
悬挂双键
1.
A new type of amphiphilic polymer porous microsphere with different hydrophilic drgree were prepared,its hydrophobic part is PSt-DVB microsphere,the hydrophilic part is PMMA,the influence of reaction time and pendant vinyl groups on the grafting degree and influence of grafting degree on the morphology of microsphere were discussed.
合成了具有悬挂双键的苯乙烯-二乙烯基苯多孔微球,在悬挂双键处接枝甲基丙烯酸甲酯,制成了一系列不同接枝度的两亲性聚合物多孔微球。
2.
To extend application and improve the hydrophilicity of porous resin microsphere,the modified resin microspheres were prepared by grafting maleic anhydride(MAH) onto porous poly(styrene-divinylbenzen) [P(St-DVB)] with pendant vinyl groups.
为了提高多孔树脂微球的亲水性,扩大其应用范围,文章通过马来酸酐(MAH)与多孔苯乙烯-二乙烯基苯共聚微球悬挂双键的接枝聚合,制备了改性的多孔树脂微球。
3) dangling bond
悬挂键
1.
The saturation of dangling bonds on GaAs surface by sulfur;
硫对砷化镓表面悬挂键的饱和作用
2.
We also demonstrated that silicon dangling bond Si~0 plays a dominant role in the spectr.
根据吸收及荧光光谱研究其能级结构,描述了a-Si_3N_4纳米粒子的物理结构图像,验证了硅悬挂键Si~O在a-Si_3N_4纳米粒子光谱性质中的主导作用。
3.
The mechanism of existing the magic number of silicon microclustersis analyzed by considering the dangling bonds.
本文分析了Si 原子微集团中存在幻数的原因,并用自洽场—多重散射Xa 方法,从能量最低原理,研究了6个Si 原子微集团和10个Si 原子微集团的可能构型,指出悬挂键在Si 微集团中起了重要作用,同时必须考虑键角畸变的因素。
4) dangling band
悬挂键
1.
With the surface geometry structure of (001), (114), (113), (112)and (111) surface, the densities of surface dangling band and surface electrons were calculated.
根据表面的原子排列分别计算了(001)、(114)、(113)、(112)和(111)各晶向的表面悬挂键密度以及表面的多余电子密度,探讨了理想表面和稳定表面的差别以及影响表面稳定性的因素。
5) dangling bonds
悬挂键
1.
The gap state which is caused by dangling bonds and defect in the active layer structer account for carrier trap and impurity segregate.
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响,并给出降低带隙密度的方法—氢化。
2.
And it can be explained by the dangling bonds of the sili.
在腐蚀过程中光开关悬臂的凸角处产生了削角现象,利用表面硅原子悬挂键的分布特征对产生削角的原因作了合理解释,这为以后研究凸角补偿提供了理论依据。
6) Si-DBs
Si悬挂键
1.
It was unexpectedly found that, the intensity of the Er-PL continually increases with annealing temperature below 350℃, meanwhile the density of Si-DBs decreases up to 250℃ due to the structural relaxation but then increases up to 500℃ probably due t.
进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同的Si悬挂键 (Si DBs)密度 ,并在此基础上研究了Si_DBs密度改变对其Er光荧光 (Er_PL)的影响 。
补充资料:UG自定义右键弹出菜单和快捷键
UG的右键弹出菜单包含了一些我们常用的功能,比如Roate、Fit等,为了使用的更加方便,我们也可以自己打造!打开UG安装目录下的UGII下的menus文件夹,里面包含了一些*.men和*.tbr,我们以文本方式打开它,发现也不难理解。例如,我们想在右键弹出菜单里面的roate和pan之间加入如图示的view下的orient功能,首先我们打开ug_main.men,查找orient,会看到下面的内容: BUTTON UG_VIEW_REFRESH LABEL &Refresh BITMAP refresh_window.bmp ACCELERATOR F5 ACTIONS STANDARD
CASCADE_BUTTON UG_VIEW_EDIT LABEL O&peration
BUTTON UG_VIEW_ORIENT LABEL Ori&ent... ACTIONS STANDARD
参考上面部分我们会看出快捷键的定义是*ACCELERATOR来指定的,我们把红色部分即BUTTON UG_VIEW_ORIENT的LABEL下面加入一行ACCELERATOR Ctrl+Alt+O(这里可以自行定义,但不要和别的重复),保存,这样我们就把快捷键定义好了,然后我们选中红色部分复制。接着打开ug_view_popup.men,它就是右键弹出菜单的定义文件。为了把它放在roate和pan之间,我们把刚才复制的部分粘贴在下面图示的位置:
TOGGLE_BUTTON UG_VIEW_POPUP_ROTATE LABEL R&otate BITMAP rotate.bmp ACCELERATOR F7 ACTIONS STANDARD
BUTTON UG_VIEW_ORIENT LABEL Ori&ent... ACCELERATOR Ctrl+Alt+O ACTIONS STANDARD
TOGGLE_BUTTON UG_VIEW_POPUP_PAN LABEL &Pan BITMAP pan.bmp ACCELERATOR F9 ACTIONS STANDARD
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条
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