1) arc interference
电弧干涉
2) electron interference
电子干涉
1.
The calculated position of peak of photocurrent on the basis of theory of electron interference is in very good agreement with the experimental results.
2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 。
2.
On the basis of theory of electron interference, it is pointed out that there are a series of separate weak interference non-localized states above barrier for multiquantum well.
根据电子干涉理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子 ,由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。
3) dry strip arc
干带电弧
1.
It analyzes the mechanisms of inductive electric field,dry strip arc and corona discharge etc.
介绍了河南电网ADSS光缆电腐蚀情况,对电腐蚀产生的机理如感应电场、干带电弧、电晕放电等进行了分析,提出了3种新的防护措施,即防电腐蚀涂料、防电晕环、防振锤。
2.
This paper analyzes the reasons of electric corrosion,for example,the corrosion caused by dry strip ARC and corona discharge.
电腐蚀现象产生的原因各不相同,通过对干带电弧、电晕放电引起的2种电腐蚀形成机理的分析,总结出在ADSS光缆生产、设计、施工、维护管理等环节中,采取的技术手段和预防措施,使ADSS光缆的电腐蚀问题得到了更好的解决。
4) dry flashover voltage
干弧电压
5) electromagnetic intervene
电磁场干涉
补充资料：2500kVA电弧炉熔炼钒铁作业(锦州铁合金厂)
2500kVA电弧炉熔炼钒铁作业(锦州铁合金厂)
2500kVA电弧炉熔炼钒铁作业(锦州铁合金厂)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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