1) deposition process
淀积过程
2) process of the chemical vapor deposition(CVD)in crystal growth
晶体生长的化学气相淀积过程
3) deposition
淀积
1.
3UCVD deposition SiO_2 on SiC wafer and its C-V measurement;
碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试
2.
We study in this paper various deposition parameters affecting thin film properties.
等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅。
3.
The mechanism of deposition polysilicon thin film in LPCVD system is described.
叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。
4) pre-deposition process
预淀积
1.
The diffusion was researched through analyzing characteristics of the pre-deposition process and the drive-in process.
结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。
5) deposition rate
淀积速率
1.
Two important parameters in the process of laser induced plasma chemical vapor deposition film size and deposition rate are deduced with shock wave theory The influence of laser intensity,atmosphere and pedestal temperature on the deposition process is analyse
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。
2.
A time\|dependent model for deposition rate is presented which includes two parameters of the process: the ion beam s dwell time and its loop time.
Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 。
6) depositional furnace
淀积炉
参考词条
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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