1) background charge
背景电荷
1.
According to the semi classical model, by means of electrical characteristics analysis of R SET, it was proposed that the electrical performance of R SET was not affected by the background charge.
基于单电子系统半经典模型 ,分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性 ,得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点 。
2.
The background charge independent single electron transistor (SET)/field effect transistor (FET) hybrid memory cell works on the basis of the periodic dependence of the drain current of SET on its gate voltage.
基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性。
2) random background charges
随机背景电荷
1.
At the same time,the influences of temperature and random background charges on the memory were simulated.
介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子环形存储器单元电路的影响。
3) random background charge
随机背景极化电荷
4) background wind load
背景风荷载
1.
The equivalent wind load(EWL) can be expressed in a separated form in terms of mean wind load,equivalent background wind load and inertial wind load.
桥梁等效风荷载一般被分为平均风荷载、等效背景风荷载和惯性风荷载 3部分 ,分别计算后再按一定的方式将其组合为总的等效风荷载 。
5) background current
背景电流
1.
The selection of conditions on controlled potential,the kinds of supporting electrolyte and so on lessns the background current and makes the standard deviation less than 0.
进行了控制电位、支持电解质种类等条件选择,使得测定背景电流小,标准偏差低于0。
2.
With 100 nA background current,3.
在背景电流为100 nA,积分时间为2。
6) background equivalent wind load
背景等效风荷载
1.
In this paper, Quasi Mean Load (QML) method is presented to calculate the along wind background equivalent wind loads and background response of tall buildings.
本文提出了高层建筑顺风向背景等效风荷载及其响应的拟平均风(QML)法,并与荷载响应相关(LRC)法进行比较,相比之下前者具有表达简洁、概念明确的优点,两者在用于顺风向响应计算时是等价的。
补充资料：3K背景辐射
见微波背景辐射。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条