1) hybrid memory cell
混合存储单元
1.
The background charge independent single electron transistor (SET)/field effect transistor (FET) hybrid memory cell works on the basis of the periodic dependence of the drain current of SET on its gate voltage.
基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性。
2) memory cell
存储单元
1.
Custom Design of 16-port Write-through Memory Cell;
可写穿的16端口存储单元定制设计(英文)
2.
A novel scheme was presented to cancel the charge injection errors in SC(switchedcurrent) memory cell.
针对电流存储单元电路中存在的电荷注入误差,提出一种新的注入误差消除方法,该方法能够消除由电荷注入效应引起的输入信号相关误差及直流偏置。
3.
Taking advantage of the circuit structure is regular and only corresponsive memory cell is active while inputting a set of specified stimulate wave, a new method of DRAM logic parameter extraction was proposed, which reduced the non-active memory cell and merged the loads of active Bit line.
利用DRAM在给定一组输入激励波形时只有部分存储单元是活动的以及电路结构很规整的特点,通过去掉不活动存储单元及合并活动Bit线上的负载来简化电路。
3) storage unit
存储单元
1.
According to the demands of the database design, set off storage units by space units to establish each subdatabase,or combinate all datas to a storage unit to establish a seamless database .
根据数据库设计要求,按空间单元划分存储单元建立各个子数据库,或者将所有数据合并为一个存储单元建立无缝数据库,从而实现图形与属性数据库的建立。
2.
The paper explains how to set up storage units for use by NETBACKUP and concern aspects of manag.
同时也介绍了如何配置存储单元和如何进行客户端的数据恢复。
6) memory element
存储单元
1.
Programmable controller soft component be programming the basis,is soft the component essence is a few places or memory element in memory RAM.
可编程序控制器的软元件是程序设计的基础,软元件的实质是存储器RAM中的一些位或存储单元。
补充资料：存储单元
存储器中可存放一个字或若干字节的基本单位。为区别存储器中的存储单元，每个存储单元都有唯一的一个地址编码。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条