2) non linear backlash element
间隙非线性环节
1.
By testing the characteristics of the precision machine tool servo control system,we draw the conclusion that the existence of non linear backlash element is the main factor that affects the performance of the control system.
通过分析超精密机床伺服控制系统的特性 ,得出系统中传动部件的间隙非线性环节是影响系统性能的主要原因。
3) nonlinear P
非线性比例环节
4) nonlinear I
非线性积分环节
5) Control the link non-linearly
非线性控制环节
6) uncertain nonlinear part
不确定非线性环节
1.
A method of LMI, a kind of Lyapunov-Krasovskii functional, which is based on "descriptor form", and a new type of memory state feedback controller are used to solve the problem of H∞controller, designing new adaptive strategies for two unknown constant: input delay and up bound for norm of the uncertain nonlinear part.
针对一类带未知输入时滞参数且含未知上界的不确定非线性环节的时滞系统,基于LMI方法,采用一种基于"descriptor form"的Lyapunov-Krasovskii泛函方法和新型的带记忆的状态反馈控制,使得时滞参数、未知上界向量这两种参数的自适应律均能反映其实时估计值与其实际接近值之间的差值,从而突破以往自适应控制对估计值的大小限制和保证限制成立的"调整参数"计算的困难,给出了针对这两种参数的新型自适应H∞控制器的设计方案,一仿真实例证明了该控制方案的有效性。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条