1) Fe_(68)Cu_(0.5)Cr_4V_5Si_(13.5)B_9thin films
Fe_(68)Cu_(0.5)Cr_4V_5Si_(13.5)B_9薄膜
2) Fe 73 5 Cu 1Nb 3Si 13 5 B 9
Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
3) Fe_(72.5)Cu_1Nb_2V_2Si_(13.5)B_9alloy
Fe_(72.5)Cu_1Nb_2V_2Si_(13.5)B_9
4) amorphous Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
非晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
5) Nanocrystalline Fe_(73.5) Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
6) amorphous Fe 73.5 Cu 1Nb 3Si 13.5 B 9
Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金
补充资料:Cr-Si thin film resistor
分子式:
CAS号:
性质:以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构,可得到各种电性能材料。如随铬增加,电阻率下降,电阻温度系数可从负数逐渐变到正值,一般方阻3~5kΩ,电阻温度系数(100~150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取,主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号:
性质:以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构,可得到各种电性能材料。如随铬增加,电阻率下降,电阻温度系数可从负数逐渐变到正值,一般方阻3~5kΩ,电阻温度系数(100~150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取,主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条
Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
Fe_(72.5)Cu_1Nb_2V_2Si_(13.5)B_9
非晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金
Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶态合金
Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜
La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜
Fe_(16)N_2薄膜
RE_(0.5)Sr_(0.5)CoO_(3-δ)薄膜
Ln_(0.5)Sr_(0.5)CoO_(3-δ)薄膜
La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_(3-δ)薄膜
Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4磁性薄膜
Eu_(0.5)RE_(0.5)Fe_(0.5)Mn_(0.5)O_3
Bi_2Te_(2.5)Se_(0.5)薄膜
Fe_(13.5)Cu_1Mo_3Si_(14.5)B_8合金
Li_(0.5)Fe_(2.5)O_4