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1)  Fe_(68)Cu_(0.5)Cr_4V_5Si_(13.5)B_9thin films
Fe_(68)Cu_(0.5)Cr_4V_5Si_(13.5)B_9薄膜
2)  Fe 73 5 Cu 1Nb 3Si 13 5 B 9
Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
3)  Fe_(72.5)Cu_1Nb_2V_2Si_(13.5)B_9alloy
Fe_(72.5)Cu_1Nb_2V_2Si_(13.5)B_9
4)  amorphous Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
非晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
5)  Nanocrystalline Fe_(73.5) Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9
6)  amorphous Fe 73.5 Cu 1Nb 3Si 13.5 B 9
Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金
补充资料:Cr-Si thin film resistor
分子式:
CAS号:

性质:以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构,可得到各种电性能材料。如随铬增加,电阻率下降,电阻温度系数可从负数逐渐变到正值,一般方阻3~5kΩ,电阻温度系数(100~150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取,主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。

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参考词条