补充资料：绝缘体上外延硅

绝缘体上外延硅
silicon on insulator

绝缘体上外延硅Sixieon。n insulator在绝缘衬底上制备半导体薄膜的生长技术。简称501。早期发展的绝缘衬底是蓝宝石。由于蓝宝石上外延硅存在衬底的自掺杂、载流子迁移率低、衬底和外延层界面应力大和衬底价格昂贵等缺点，得不到广泛应用。 501是在硅单晶衬底上形成5102绝缘层作衬底，并在绝缘层上进行硅外延增加厚度，用腐蚀法在该衬底上形成隔离硅岛后加工成电路。 较典型的501技术包括以下3种。①区熔再结晶技术。1979年由美国林肯实验室开拓。可采用激光或石墨加热器，近年又发展电子束、卤素钨灯加热等。这项技术经历图形外延、侧向籽晶外延和区熔再结晶。②氧离子注入(S IMOX)。以离一子束向硅单晶片注入高剂量氧离子，退火后形成埋层5102，再进行硅外延。用于超大规模集成电路SIMOX的最佳条件是:加热至500℃以上，以150一200 keV能量进行高浓度氧离子注入，注入浓度1一 2x101犯m一3，注入后在大于1250℃高温下退火。衬底和器件质量取决于注入能量、束流和温度等。③隔离硅外延。近年由林肯实验室发展的。它克服了材料缺陷如突出物、圆片翘曲和表面粗糙，提高了501材料质量。 用501结构材料加工大规模集成电路可降低互补金属一氧化物一半导体(CMOS)器件衬底的寄生电容，提高开关速度，增强抗宇宙射线能力和增加集成度。已应用于CMOS随机存贮器、运算器等。但501技术至今尚未进入商品化。今后除寻求发展新技术外，必须努力提高原有各种技术的实用性，如更好地控制硅膜中的缺陷和杂质，提高工艺的可靠性，进一步降低成本等，使之早日实现商品化。 (莫金现)

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