1) integrating rule set
集成规则库
2) integration rule
集成规则
1.
Besides,the integration rule and transformation algorithm of heterogeneous data .
给出了医院信息构建、存储和传递的方法,提出了解决数据语义异构问题的直接模式集成方法,给出了异构数据的集成规则与转换算法,并实现了主要算法,解决了异构数据转换问题。
4) rule sets integration
规则集合集成
5) Rules of Data Integration
数据集成规则
6) rule base
规则库
1.
A directed hypergraph-based algorithm for detecting redundancy and circularity in rule base;
一种基于有向超图的规则库冗余及环路检测方法
2.
Establishment of Rule Base for PWR Pressurizer Fuzzy Controller by Genetic Algorithm;
用遗传算法构造压水堆核电站稳压器模糊控制规则库
3.
The application of neural network and the rule base in the expert system of the large scale rotary machines;
基于神经网络与规则库的故障诊断专家系统
补充资料：集成电路版图设计规则
集成电路版图设计规则的作用是保证电路性能，易于在工艺中实现，并能取得较高的成品率。版图设计规则通常包括两个主要方面：①规定图形和图形间距的最小容许尺寸；②规定各分版间的最大允许套刻偏差。
集成电路制作中，各类集成元件、器件及其间的隔离与互连等是在一套掩模版的控制下形成的。一套掩模版通常包括 4～10块分版。每一块分版是一组专门设计的图形的集合，整套版中的各分版相互都要能精密地配合和对准。整套掩模版图形(简称版图)的设计，是把电路的元件、器件和互连线图形化，用它来控制制备工艺，使集成电路获得预期的性能、功能和效果。例如，增强型负载硅栅N沟道MOS型集成电路需要4块分版,分别用以确定有源区、多晶硅、接触孔和铝连线。4组图形的规则是：
有源区条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅条宽与间距
8μm/6μm
接触孔尺寸
6μm×6μm
铝连线条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅-有源区套刻量(ɑ)
2μm
多晶硅出头长度(b)
4μm
接触孔-有源区套刻量(c)
2μm
接触孔-有源区上多晶硅套刻量(d) 4μm
接触孔-隔离区上多晶硅套刻量(e) 2μm
铝连线-接触孔套刻量(f)
2μm
不同类型的集成电路所需要的分版数不同，具体的版图设计规则也有差异。但制定版图设计规则的基本原则则是一致的:①需要考虑工艺设备状况(如光刻机的分辨率和对准精度)和工艺技术水平（如工艺加工中,图形尺寸侧向变化量和控制）；②避免寄生效应对集成电路的功能与电学性能的有害影响。
通常称允许的最小图形尺寸的平均值为特征尺寸。它是对集成电路集成密度的度量，是集成电路工艺技术水平的一种标志。
集成电路制作中，各类集成元件、器件及其间的隔离与互连等是在一套掩模版的控制下形成的。一套掩模版通常包括 4～10块分版。每一块分版是一组专门设计的图形的集合，整套版中的各分版相互都要能精密地配合和对准。整套掩模版图形(简称版图)的设计，是把电路的元件、器件和互连线图形化，用它来控制制备工艺，使集成电路获得预期的性能、功能和效果。例如，增强型负载硅栅N沟道MOS型集成电路需要4块分版,分别用以确定有源区、多晶硅、接触孔和铝连线。4组图形的规则是：
有源区条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅条宽与间距
8μm/6μm
接触孔尺寸
6μm×6μm
铝连线条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅-有源区套刻量(ɑ)
2μm
多晶硅出头长度(b)
4μm
接触孔-有源区套刻量(c)
2μm
接触孔-有源区上多晶硅套刻量(d) 4μm
接触孔-隔离区上多晶硅套刻量(e) 2μm
铝连线-接触孔套刻量(f)
2μm
不同类型的集成电路所需要的分版数不同，具体的版图设计规则也有差异。但制定版图设计规则的基本原则则是一致的:①需要考虑工艺设备状况(如光刻机的分辨率和对准精度)和工艺技术水平（如工艺加工中,图形尺寸侧向变化量和控制）；②避免寄生效应对集成电路的功能与电学性能的有害影响。
通常称允许的最小图形尺寸的平均值为特征尺寸。它是对集成电路集成密度的度量，是集成电路工艺技术水平的一种标志。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条