1) separator
隔离管
1.
A new automatic alkaline ZnMnO2 battery machine controlled with SCM is developed for separator s making and assembling,the thesis intends to expatiating on structure、principle and controlled process of the system, The machine applies to LR6 alkaline Zn - MnO2 battery separator s making and assembling.
介绍一种采用单片机控制的全自动碱锰电池隔离管卷制及入壳专用机，阐述其系统构成、各部分工作原理及控制过程。
2) Isolation Management
隔离管理
3) Management of sterilization and isolation
消毒隔离管理
4) segregation
隔离
1.
On discrimination theory in occupational sex segregation;
职业性别隔离歧视理论小议
2.
Objective: to know of the emotion stat e of the students in Judicial police institute during “SARS” segregation perio d.
目的:了解警官学院学生在“防非”隔离时期的情绪状态。
5) Quarantine
隔离
1.
Cytokine and Thromboxane B_2 levels of Quarantined People during SARS Period;
被隔离人群血清细胞因子及血栓素B_2水平变化
2.
Language art of psychologically nursing quarantined fevering patients;
对发热隔离患者实施心理护理时的语言艺术
3.
Worm Propagation Modeling and Analysis Based on Quarantine;
基于隔离策略的蠕虫传播模型及分析
6) Isolate
隔离
1.
This isolated Boost converter is with the merits of simple transformer structure, little current ripple of supply and high efficiency.
隔离型Boost变换器具有变压器结构简单、输入电流纹波小、效率高等优点,适合于低压大电流输入应用,但该变换器存在着开关管关断电压尖峰很大、两开关管不能同时关断以及启动冲击电流很大等问题。
2.
It is always considered to isolate a computer control system from a main circuit in order that the reliability of the computer control system is ensured.
为了保证计算机控制系统运行的可靠性,一般情况下都考虑将其与主电路隔离。
3.
MESFET is fabricated on semi insulating GaAs substrate using ion implanted isolated recessed gate process,self isolated planar process and ion implanted isolated planar process.
分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。
参考词条
补充资料：隔离栅晶体管
一种功率场效应晶体管与双极型功率晶体管的复合器件。又称电导调制场效应晶体管(即COMFET)。图1是其等效图和电路符号。IGT是功率集成器件,元件内含IGT单元数百至数千个,集成密度及制作难度在功率场效应晶体管(功率MOSFET)与双极型功率晶体管(GTR)之间。
IGT 管心的部分剖面结构(图2)显示，IGT 由功率场效应晶体管(Ⅰ)与双极型功率晶体管(Ⅱ)两个部分组成。器件的输入部分为场效应管，输出部分则为双极型管，其中场效应管的输出电流作为双极型管的输入电流。因此,IGT结合了场效应管和双极型管两者的优点：电压型驱动,导通电流密度大，饱和压降低,耐压易提高（与双极型相同），是一种性能较完善的器件。
80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)与功率MOSFET差不多。 在90年代有希望达到80年代中期GTR的水平，其开关频率则不会超过 GTR。用在100kHz以下、10kW以内的电力电子装置中,IGT既比功率MOSFET的效率高，又比GTR的驱动线路简单。IGT做成模块及组件后会更有利于应用。
IGT 管心的部分剖面结构(图2)显示，IGT 由功率场效应晶体管(Ⅰ)与双极型功率晶体管(Ⅱ)两个部分组成。器件的输入部分为场效应管，输出部分则为双极型管，其中场效应管的输出电流作为双极型管的输入电流。因此,IGT结合了场效应管和双极型管两者的优点：电压型驱动,导通电流密度大，饱和压降低,耐压易提高（与双极型相同），是一种性能较完善的器件。
80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)与功率MOSFET差不多。 在90年代有希望达到80年代中期GTR的水平，其开关频率则不会超过 GTR。用在100kHz以下、10kW以内的电力电子装置中,IGT既比功率MOSFET的效率高，又比GTR的驱动线路简单。IGT做成模块及组件后会更有利于应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。