1) narrow channels
细沟道
1.
Thermal activated model has also been confirmed in n MOSFETs with very narrow channels.
室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,通过测量 RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系 ,获得了氧化层陷阱的位置与能级 ,证实了氧化层陷阱的热激活模型在细沟道 n MOSFET中仍然成立。
2) rill
细沟
1.
Prediction of Hydraulics of Rills in Erosion Processes on Hillslope;
坡面侵蚀过程中细沟水流动力学参数估算探讨
2.
Scouring experimental study on rill erosion on the slope;
坡面细沟侵蚀的冲刷试验研究
3.
Study on dynamic mechanism of rills, shallow furrows and gully in the soil erosion chain;
土壤侵蚀链内细沟浅沟切沟流动力机制研究
3) rill evolution
细沟发育
1.
The model could be used for simulating rill evolution processes on loess slopes, in which the rainfall and micro\|landform are corresponding to the disarranged input and the rills are corresponding to the regular output.
基于自组织理论的机理模型可以定量地预测坡面细沟发育的过程 ,而这些信息在过去只能依靠实验观测获得 。
4) rill density
细沟密度
1.
The experimental data of the slope erosion are analyzed by stochastic theory and fractal geomety,and some quantitative descriptions for the slope pattern ofthe slope erosion are obtained according to the rill density and fractal dimension of the rills.
本文利用随机理论和分形几何学方法，对坡地侵蚀实验资料进行分析，以坡面细沟密度指标及沟系分维数对坡地侵蚀的平面形态进行了定量描述。
2.
Furthermore,the soil erosion of the slope was analysed by means of the rill density.
从分析细沟床面上切应力出发，在细沟全断面泥沙处于临界起动条件下，导出了细沟临界断面方程并讨论其水力几何要素的变化，进一步提出用细沟密度去分析坡地的土壤侵蚀程度。
5) rill erosion
细沟侵蚀
1.
Simulation study on the dynamic rill erosion processes: model validation with laboratory experiments;
细沟侵蚀动态过程模拟室内试验和模型验证研究
2.
Simulation study on dynamic rill erosion processes: mathematical models and FEM formulation;
细沟侵蚀动态过程模拟数学模型和有限元计算方法
3.
Study on spatial and temporal characters of rill erosion on slope;
坡面细沟侵蚀产沙时空分布规律试验研究
6) rill flow
细沟流
1.
The characteristics of rill flows occurred over clay soil slope were often described from the point of geography.
发生于粘性土坡细沟侵蚀中的细沟流 ,其特性多从地理角度进行描述 ,因而对细沟的认识也不一致。
2.
The hydrodynamic characters of rill flow in the process of rill erosion in purple soil were studied by using runoff simulated experiment under the different slope gradients and the different flow discharges.
通过不同坡度、流量的组合放水冲刷试验,对紫色土坡面细沟侵蚀发生过程中的坡面细沟流水动力学特征进行了研究。
3.
It is the precondition for the rill flow hydraulic calculation to confirm the rill flow pattern.
细沟流流态的确定是进行细沟流水力计算时的先决条件。
参考词条
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。