1) Ni film resistor
镍薄膜电阻
2) NiCr thin-film resistor
镍铬薄膜电阻
1.
5 k? NiCr thin-film resistors was measured.
5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。
3) CuNi resistive film
铜镍电阻薄膜
1.
The influence of aluminum contents on the microstructures and electrical properties of CuNi resistive films;
铝含量对铜镍电阻薄膜结构及电性能的影响
4) resistive films
电阻薄膜
1.
Electrical stability of Cr-Si-Ni resistive films in acidic and alkaline aqueous solutions;
Cr-Si-Ni电阻薄膜在酸碱溶液环境中的电学稳定性
2.
Effect of nitrogen on crystallization behavior and electrical properties of Cr-Si-Al resistive films;
氮元素对Cr-Si-Al电阻薄膜晶化行为及电性能的影响
3.
Crystallization and oxidation behaviors of Cr-Si-Ni-N resistive films;
Cr-Si-Ni-N电阻薄膜的晶化与氧化特性
5) resistive film
电阻薄膜
1.
Electrical stability and degradation mechanism of CrSi(Ni,Al) resistive films in alkaline aqueous environments;
碱性溶液环境中CrSi(Ni,Al)电阻薄膜的电学稳定性及劣化机理
2.
In order to select suitable materials for resistive films, microstructures of NiCr O and Cr Si sputtered films used for the mid range of resistance were analyzed.
合金成分、沉积条件以及热处理工艺是影响薄膜性能极其重要的因素 ,为便于电阻薄膜的合理选材 ,分析了应用于中阻值范围内的 Ni Cr- O系及 Cr- Si系溅射薄膜的膜层结构 ,对比了它们在热处理前后的电性能变化情况 ,并通过短期试验考核它们在应用中劣化的可能性 。
3.
Cr-Si-Ni resistive films were prepared on n-type Si (100) substrates by magnetron sputtering.
采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了CrSiNi电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响。
6) film resistor
薄膜电阻
1.
Various GaAs MMIC (monolithic microwave integrated circuit) passive components,including rectangle spiral inductors,MIM capacitors,and film resistors,are fabricated,and their equivalent circuit models are established.
制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用。
2.
Through analyzing the operating principles of the micro thermal sensor, associating with thin film resistor and the substrate, we got TCR of the resistor, and analyzed the method of calculation and measurement of the TCR and the resistively of MEMS thermal sensor.
应用微型热敏传感器薄膜电阻的电阻温度系数设计方法,得到基于热敏电阻的电阻温度系数的计算和设计参数。
补充资料：薄膜电阻材料
薄膜电阻材料
materials for film resistance
bOOmO dlo门Zu CO一{一00薄膜电阻材料(materials for film resistanee) 用于制造薄膜电阻的材料。电子技术中广泛应用薄膜电阻材料来制造分立电阻元件及集成电路中的电阻元件。有二类薄膜电阻材料，一类是碳膜，另一类是金属膜。早期大量使用碳膜电阻，但由于工艺上的原因，碳膜电阻的容许误差高达士10%以上，而且温度系数大，因此在要求高的场合普遍使用金属膜电阻。当金属的厚度小于电子在金属中的平均自由程时，电阻率急剧增加。利用这一效应可制成体积很小而阻值很高的金属膜电阻。其阻值误差可控制在士(2 .5~5)%内，而且电阻温度系数远小于碳膜电阻。金属膜电阻的时间稳定性较好，体积比相同功率的碳膜电阻小得多。薄膜电阻一般成膜于陶瓷或玻璃基体上。碳膜还可以成膜于绝缘纸板上。金属成膜可采用蒸镀法、阴极溅射法、还原法和氧化物烧结法。常用的金属膜材料有镍铬合金(Ni一Cr)、氮化担(TaN)、Cr一510、氧化锡(SnOZ)等。其中Cr一510用于制造zMn以上的高值电阻。金属膜电阻的温度系数大致是10一咭(1/℃)量级，有正温度系数和负温度系数二类。碳膜电阻具有负的温度系数，数值是10一3(1/℃)量级，其时间稳定性比金属膜电阻差得多。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条