1) Hall coefficient
霍尔系数
1.
A new type of PTCR ceramic materials based on (Ba,Sr)TiO 3 with linear resistance temperature characteristics on rectangular coordinates are investigated with the help of complex impedance analysis and measurements for Hall coefficient and zero power R T characteristics.
通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 。
2.
With the character, a new system is designed in this paper for a material Hall coefficient measurement.
硅酸铋 (BSO)晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应 ,通过BSO晶体的偏振光将受电场和磁场的调制 ,利用这一特性 ,设计了一种基于BSO晶体传感器的材料霍尔系数测试系统 。
3.
The oxygen content, Hall coefficient and superconductivity are systematically studied on YBa_2Cu_ 3-xFe_xO_y(x=0.
对YBa2Cu3-xFexOy(x=0·0,0·1,0·2)和YBa2Cu2·8Fe0·2Oy(y=7·05—6·53)系列样品的氧含量、霍尔系数和超导电性进行了系统的研究。
2) Hall coefficient extremum
霍尔系数极值
3) Qualitative Hall coefficient
宏观霍尔系数
4) Hall parameter
霍尔参数
5) Hlder exponent
霍尔德指数
1.
Finally,the influence and important meaning of the change of temperature time series exponent on Hlder exponent are also explained.
给出了离散时间序列多重分形除趋势涨落分析方法和霍尔德指数的计算方法,并用它们研究了气温时间序列。
补充资料：半导体材料霍尔系数测量
半导体材料霍尔系数测量
Hall coefficient measurement for semiconductor material
bandaot一Calliao huoerx一shu Cel一Qng半导体材料公耳系数测里(Hall eoeffieientmeasurement for semieonduetor material)在电场作用于一可导电物体的同时加以磁场，将在该导电物体上，同时垂直于电场和磁场的方向上建立起一个新的电场，称为霍耳效应。半导体材料的霍耳效应比金属材料的霍耳效应尤为显著，它表征着半导体材料的某些基本特征，广泛用于半导体材料物性的测量。 一半导体材料在其x方向通以电流J二，在z方向加以均匀的磁场B:，在磁场中运动的荷电粒子洛劳仑兹力的作用，则在夕方向产生霍耳电场E，: E，=RHJxBz粤矛少、了 1 、-一一’一_一* 一艺卜户 工·口11州飞七犷衍· 洲‘针飞本 霍耳效应原理图式中J，为x方向电流密度，A/mZ;B二为z方向磁感应在测量霍耳系数的同时测出电阻率来，可计算出强度，T;E，为y方向霍耳电场，v/m;RH为霍耳系数，霍耳迁移率产n一{RH!氏m3/C。霍耳效应原理如图所示。由于半导体的性质依赖于温度，因此可利用霍耳 半导体材料中存在着电子和空穴两种载流子，根系数随温度的变化来确定杂质能级、禁带宽度以及迁据理论计算可知霍耳系数RH和两种载流子浓度之间移率的温度特性等，从而对材料的质量作出相应的估有如下关系:价。 _/、户一n护(冯仪) R“一一X‘一，二吮、‘’一 ‘、P+n犷式中￡为电子电量，C泌一群n/群p，为该半导体材料的电子迁移率与空穴迁移率之比;n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度，。m一3;r是接近于1的比例因子，与散射机构、温度、能带结构和磁场强度等有关。对于。型半导体，刀》，，R一素;对于p型半导体，，》、，RH、粤。可见，根据霍耳系数的符号可判定半导体 eP材料的导电类型，霍耳效应的值可计算出载流子浓度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条