1) SE(secondary electron)
SE(二次电子)
2) Secondary electron(SE)image
二次电子(SE)像
3) Secondary electrons
二次电子
1.
When the instrument was used to determine samples of lower abundance( 235 U abundance less than 1%),the accuracy is poor (relative bias 1%) due to the secondary electrons and strong peak tails of the instrument.
造成误差的主要因素是本仪器存在着明显的二次电子和强峰拖尾。
2.
Methods for suppressing secondary electrons in neutron tubes are discussed.
讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法。
3.
Secondary electron is the most basic and useful signal in Scanning Electron Mi-croscopy, while the generation process of detected secondary electrons is most com-plex.
二次电子是扫描电子显微镜中最为基础和常用的信号。
4) secondary electron
二次电子
1.
As SEM has the features of large field depth, strong relief perception and high resolution, the analysis of sandstone can use the secondary electron imagery and the back scatter imagery two methods respectively.
由于扫描电镜具有景深大、立体感强和分辨率高的特点 ,使砂岩分析可分别采用二次电子图像和背散射图像两种方法 ,不仅能获得砂岩的粒间孔隙、粒间胶结物、喉道连通性及配位数等信息 ,而且还可通过图像分析软件快速定量计算孔隙率。
2.
Based on the study of secondary electron image characteristics and mechanisms,a secondary electron image system is designed in the text.
在研究二次电子特性及成像机理的基础上,设计了二次电子成像系统。
3.
The influence of secondary electron emission on efficiency and backflow can be improved through an elaborate electron optics design.
多级降压收集极的设计离不开计算机辅助设计软件,对收集极进行精心的电子光学设计,可以改善二次电子发射对效率及回流的影响。
5) secondary electron emission avalanche(SEEA)
二次电子崩
1.
The mechanism of nanosecond flashover is discussed and the conclusion is reached,that is secondary electron emission avalanche(SEEA) is suit for explaining nanosecond flashover.
分析认为纳秒脉冲闪络是一个不断向平衡状态逼近的过程,基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论(SEEA)适用于分析纳秒脉冲真空闪络问题。
补充资料：SE-RFL Disperse Orange SE-RFL
分子式：
CAS号：
性质：红色粉末。在纯涤纶上染色牢度：日晒5～6,皂洗4,升华(190℃/30s)4。对硝基苯胺重氮化后与N-氰乙基N-苄基苯胺偶合而成。用于涤纶及其混纺织物的染色。
CAS号：
性质：红色粉末。在纯涤纶上染色牢度：日晒5～6,皂洗4,升华(190℃/30s)4。对硝基苯胺重氮化后与N-氰乙基N-苄基苯胺偶合而成。用于涤纶及其混纺织物的染色。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条