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1)  Pockels effect
泡克耳斯效应
1.
The principle and application of the Pockels effect to electricity measurements are reviewed,with discussions on how to choose the Pockels crystal and incident.
应用泡克耳斯效应来测量电场 ,具有很强的抗电磁干扰性、测量灵敏度高、测量频带宽等电学方法难于相比的优点 。
2)  Pockels' effect cell
泡克耳斯效应拿
3)  Pockels effct
泡克耳斯(Pockels)效应
4)  Pockels effect
泡克尔斯效应
5)  Pockels' cell
泡克耳斯拿
6)  Kell effect
克耳效应
补充资料:泡克耳斯效应
      一种电光效应。某些晶体在电场作用下会产生一个附加的双折射,这一双折射与外加电场强度成正比。1893年德国物理学家F.泡克耳斯首先研究了这种线性电光效应,由此而得名。
  
  对于晶体,常用折射率椭球描述其折射率特性。在主轴坐标系中可以写为
  
   。(1)
  当有外加电场作用时,晶体的折射率发生改变,因而方程(1)各项的系数也有相应的改变,可以写为
  
   (2)
  式中分别对应折射率椭球方程中x2,y2,z2,yz,xz,xy各项系数的改变量;Ej(j=1,2,3)分别表示电场各分量Ex,Ey,Ezj为电光张量,可用一个3×6的矩阵表示,共有18个矩阵元,其中有些可能为零,有些彼此相关。这些关系依赖于晶体的对称性,只是在无中心对称的晶体中才产生这种效应(见晶体物理性能的对称性)。若光沿光轴传播,无外加电场时,没有双折射;若同时有平行于 z轴的电场作用,则有双折射产生。由式(2)可得
  
   (3)
  式中no为晶体固有的寻常光折射率,ny'与nx'分别表示加电场后在晶体的感生主轴y‵与x‵方向的折射率。为使光波在x‵与y‵两方向的偏振分量之间的位相差为π,所需加的电压值称为半波电压,记为Vλ/2或Vπ,而
  
   , (4)
  式中λ为光在真空中的波长。
  
  如上所述,光传播方向与电场方向平行的情况称为纵向电光效应。泡克耳斯盒就是利用纵向电光效应制成的一种快速电光开关。附图表示这种电光开关的一例。圆柱形电光晶体KD*P置于两偏振器P与A之间。圆柱的对称轴即为晶体的光轴方向。与光轴垂直的两端面是透明的。抾与·分别表示线偏振光的偏振方向平行于纸面和垂直于纸面。通过环形电极给晶体施加半波电压Vπ。当偏振器P与A的主轴平行时,光路是关闭的,因为在半波电压作用下,两偏振分量的位相推迟为π,这相当于偏振面旋转了90°。透过P与晶体的偏振光正是 A所不允许通过的。如果突然退掉晶体上的电压,光路立即变为通路。这种电光开关的响应时间小于1纳秒。将泡克耳斯盒置于脉冲激光器的谐振腔内,可做为调Q元件。此时由于有全反射镜,激光两次通过电光晶体,不但可以省去一个偏振器,而且调Q电压只需。
  
  若光在晶体中的传播方向与电场垂直,则称为横向电光效应。在这种情况下,可通过增大纵宽比(通光方向长度/加电压方向的厚度)来降低有效半波电压。用于光波振幅调制的电光调制器常采用这种方式。利用泡克耳斯效应也可以做成电光偏转器,用以改变光束的传播方向。
  

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