1) selective erasure and rewriting
选择性擦涂和重写
1.
To study the selective erasure and rewriting of the multiplexed holographic storage in photorefractive crystals.
研究光折变晶体中多重体全息存储的选择性擦涂和重写技术 。
2) selective erasure
选择性擦除
1.
The principle and method of selective erasure are proposed and discussed.
研究选择性擦除的原理和方法 。
2.
With the development of multiplexing holographic storage in Fe∶LiNbO 3, it′s absolutely necessary to modify or reedit the data stored in the crystal, so selective erasure is indispensable.
在晶体中进行大容量多重体存储 ,需要对晶体中记录数据进行修改 ,这就使得选择性擦除必不可少。
3) Selective coating
选择性涂层
5) ester derivative of CuTCNQ
可擦重写性能
6) erasing and writing performances
擦除和写性能
1.
This paper analyzed and implemented a method of how to improve erasing and writing performances of Nand Flash using multi-plane operation.
但是在系统处理一些大量的视频数据和其他高分辨率数据存储的时候,Nand Flash的擦除和写性能难以满足要求。
补充资料：擦涂
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：见揩涂。
分子量：
CAS号：
性质：见揩涂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条