1) driving clock circuit
驱动时钟电路
1.
The driving clock circuit and refrigeration circuit of ISD017AP are designed The non-uniformity of dark current and light effect of CCD are analyzed and corrected Its application in digital radiography is also introduced.
介绍了科学级制冷 ＣＣＤ器件 ＩＳＤ０１７ＡＰ的主要性能、结构及管脚，设计了构成相机的制冷电路与驱动时钟电路，对相机的暗电流和光响应不一致性进行了分析和校正。
2) time-driven
时钟驱动
1.
This paper discusses the stability of NCS with time-delay longer than one sampling period when both sensor and actuator are time-driven as well as controller is event-driven.
研究了传感器、执行器为时钟驱动,控制器为事件驱动,网络诱导时延大于一个采样周期的网络(NCS)的稳定性问题。
3) clock-driven
时钟驱动
1.
Based on a regular, impulse-free and linear time-invariant descriptor system, the characteristics of multiple input/output networked control systems with distributed time-delay and dynamic output feedback controller are analyzed when sensors and the controller are clock-driven but asynchronous-sampling and actuators are event-driven.
对具有分布时延、动态输出反馈控制器且被控对象为广义系统的多输入多输出网络控制系统,在传感器和控制器时钟驱动、异步采样,执行器事件驱动情况下的运行特性进行了分析·在分析的基础上建立了正则、无脉冲广义系统对象的多输入多输出网络控制系统数学模型·通过电力系统中一个呈现广义系统模型的控制实例,说明了建模方法的有效性·为被控对象呈现广义系统模型的网络控制系统的性能分析和设计给出了有益的尝试
4) clock driving
时钟驱动
1.
The transformation is under clock driving and event driving of the controller respectively.
针对具有线性时不变被控对象的网络控制系统,讨论了在控制器为时钟驱动和事件驱动两种情况下的连续最优性能指标到等价离散最优性能指标的转换,结果也表明,当网络诱导时延小于一个采样周期时在控制器的两种驱动方式下,网络控制系统具有相同的等价离散性能指标。
5) clock driver
时钟驱动
1.
Here implemented a general clock driver based on MC146818 RTC and Intel 8254 PIT , and introduced the hardware and software design procedures.
介绍了基于MC146818RTC和Intel8254PIT的一种通用时钟驱动的实现方法,给出了硬件和软件方面的实现流程。
2.
A method of designing a H tree clock driver with low power consuming is proposed in this paper.
本文提出了一种低功耗H形时钟驱动电路的设计方法,其基本思想是在满足电路要求的前提下尽量减小缓冲器中反相器的尺寸,以减小集成电路中电容充放电为主的功耗。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条