1) cubic GaN
立方相GaN
1.
Wet etching characteristics of cubic GaN (c GaN) thin films grown on GaAs(001) by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) are investigated.
此外 ,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错 。
2) cubic GaN
立方GaN
3) cubic TaN
立方相TaN
1.
The influence of N2 pressure on the as-synthesized cubic TaN samples was studied.
结果表明:所制备的纳米粉为单一的立方相TaN,纳米颗粒的平均粒度为5-10nm。
4) cubic
[英]['kju:bɪk] [美]['kjubɪk]
立方相
1.
2～2∶1) were used to prepare the cubic nano-sized zinc titanante powders.
2~2∶1的条件下,通过煅烧,得到粒径小于100 nm的立方相钛酸锌粉体。
2.
The results showed that: the CdS film realized the transition from hexagonal phase to cubic phase and the band-gap of CdS increased with the increasing of the cadmium ion concentration and the bath temperature,.
L-1)和提高沉积温度(80~90℃)来加快沉积速率,CdS薄膜晶相由六方相(H)向立方相(C)转变,且禁带宽度随Cd2+离子浓度增大逐渐变大;当Cd2+离子浓度从0。
3.
High quality cubic GaN (c GaN) is grown by metalorganic vapor deposition (MOCVD) at an increased growth temperature of 900℃,with the growth rate of 1 6μm/h.
利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1。
5) cubic laves phase
立方Laves相
1.
95 substantially retained the MgCu 2 type C 15 cubic Laves phase structure and the lattice constant increases with increasing x.
95完全保持MgCl2立方Laves相结构 ,晶格常量a随Al含量x的增加而增大 。
6) cubic structure ZrO_2
立方相ZrO_2
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条