1) nonlinear support
非线性支承
1.
The flow-induced vibration of a plate-type beam structure with nonlinear support is studide in this paper.
主要研究了受非线性支承的板状梁结构的流致振动问题。
2.
The flow-induced vibration of a plate-type beam stru cture with nonlinear support is studied.
研究了受非线性支承的板状梁结构流致振动问题 。
2) nonlinear elastic support
非线性弹性支承
1.
In this dissertation, some investigations on nonlinear responses of with a nonlinear elastic support of cracked rotor in maneuver flight are carried out.
本文主要对带有非线性弹性支承的裂纹转子在机动飞行下的非线性响应的研究,具体分析飞机机动飞行时弹性支承的非线性因素和不同刚度对系统响应产生的影响,旨在揭示转子系统在裂纹非线性和支承非线性两种因素的影响下系统动态响应的变化。
2.
The rotor system of non-linear response,part of the bifurcation and chaotic situation while the aircraft circles over the level of nonlinear elastic support rotor system are studied.
研究了在飞机水平盘旋下非线性弹性支承转子系统的非线性响应,及其分叉和混沌现象。
3) nonlinear bearing force
非线性轴承力
1.
This paper presents nonlinear bearing forces of a roller bearing under four-dimensional loads and establishes 4-DOF dynamics equations of a rotor roller bearing system.
滚子轴承支承的转子系统由于赫兹接触轴承力、径向间隙、轴承表面波纹度等会使系统的动力学行为非常复杂,本文推导了承受四维载荷的滚子轴承的非线性轴承力和力矩,建立了滚子轴承支承的转子系统的四自由度动力学方程,使用Newmark-β法和Newton-Laphson法求解方程,通过振动响应的分岔图、Poincarè映射图、频谱图、轴心轨迹研究了转子系统的动力学特性。
4) nonlinear rotor bearing
非线性转子轴承
5) non linear bifurcation point
非线性分支点
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条