1) coefficient of material endurance
材料耐受系数
2) Al_2O_3-SiO_2 system refractories
Al2O3-SiO2系耐火材料
1.
Effects of TiO_2 on the structures and properties of Al_2O_3-SiO_2 system refractories were also introduced by analyzing the inter-reaction between TiO_2,Al_2O_3,SiO_2 during the sintering process of Al_2O_3- SiO_2 raw material and application of Al_2O_3-SiO_2 products.
阐述了TiO2在Al2O3-SiO2系耐火材料,特别是高铝矾土中的分布和存在方式,并通过分析Al2O3-SiO2系耐火原料的煅烧过程和Al2O3-SiO2系制品的使用过程中TiO2、Al2O3和SiO2三者之间的化学反应,介绍了TiO2对Al2O3-SiO2系耐火材料结构和性能的影响。
3) Al-Si Refractory Materials
铝硅系耐火材料
4) ZrO_2 Al_2O_3 system refractory
ZrO_2-Al_2O_3系耐火材料
5) Al_2O_3-SiO_2 refractory
Al_2O_3-SiO_2系耐火材料
6) chromium series of wear-resistant material
铬系耐磨材料
1.
A review of the development and improvement of the technology on the chromium series of wear-resistant materials in China and a brief on development process of the Ningguo Wear-Resistant Materials General Plant in Anhui province of China.
综述了国内铬系耐磨材料技术进步与发展,简述了宁国耐磨材料总厂的发展过程。
补充资料：半导体材料霍尔系数测量
半导体材料霍尔系数测量
Hall coefficient measurement for semiconductor material
bandaot一Calliao huoerx一shu Cel一Qng半导体材料公耳系数测里(Hall eoeffieientmeasurement for semieonduetor material)在电场作用于一可导电物体的同时加以磁场，将在该导电物体上，同时垂直于电场和磁场的方向上建立起一个新的电场，称为霍耳效应。半导体材料的霍耳效应比金属材料的霍耳效应尤为显著，它表征着半导体材料的某些基本特征，广泛用于半导体材料物性的测量。 一半导体材料在其x方向通以电流J二，在z方向加以均匀的磁场B:，在磁场中运动的荷电粒子洛劳仑兹力的作用，则在夕方向产生霍耳电场E，: E，=RHJxBz粤矛少、了 1 、-一一’一_一* 一艺卜户 工·口11州飞七犷衍· 洲‘针飞本 霍耳效应原理图式中J，为x方向电流密度，A/mZ;B二为z方向磁感应在测量霍耳系数的同时测出电阻率来，可计算出强度，T;E，为y方向霍耳电场，v/m;RH为霍耳系数，霍耳迁移率产n一{RH!氏m3/C。霍耳效应原理如图所示。由于半导体的性质依赖于温度，因此可利用霍耳 半导体材料中存在着电子和空穴两种载流子，根系数随温度的变化来确定杂质能级、禁带宽度以及迁据理论计算可知霍耳系数RH和两种载流子浓度之间移率的温度特性等，从而对材料的质量作出相应的估有如下关系:价。 _/、户一n护(冯仪) R“一一X‘一，二吮、‘’一 ‘、P+n犷式中￡为电子电量，C泌一群n/群p，为该半导体材料的电子迁移率与空穴迁移率之比;n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度，。m一3;r是接近于1的比例因子，与散射机构、温度、能带结构和磁场强度等有关。对于。型半导体，刀》，，R一素;对于p型半导体，，》、，RH、粤。可见，根据霍耳系数的符号可判定半导体 eP材料的导电类型，霍耳效应的值可计算出载流子浓度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条