1) distributional nonlinear magnetic-net model
分布非线性磁网络
2) nonlinear-netowrk analysis
非线性网络分析
3) nonlinear network
非线性网络
1.
Global Convergence of Iterates for Nonlinear Networks With Two Parameters;
一类双参数非线性网络的大范围收敛迭代解法
2.
In analysis of nonlinear network responses,Volterra Series can be used to educe the nonlinear transfer function similar to the transfer function of linear systems.
在非线性网络响应分析中,采用Volterra级数法可以导出与线性系统传递函数相似的非线性传递函数,能使非线性系统用线性化和系统化方法达到精确分析。
3.
To meet the demand for transient stability distributed simulation in the environment of power network interconnection and electricity market, the computation efficiency is studied for power nonlinear network transient stability distributed simulation.
文中研究了电力非线性网络暂态稳定分布式仿真算法的计算效率问题,指出算法的瓶颈主要是子系统边界值的迭代求解计算,提出了改善非线性网络分布式求解效率的交接变量估计法,进行了数值验证,并与适于线性网络求解的并行处理方法、已有的电力网络暂态稳定初值估计法和交接变量调节法进行了比较。
4) nonlinear networks
非线性网络
1.
The topological analysis for linear networks is extended to nonlinear networks.
将线性网络的拓扑分析法推广到非线性网络,提出了非线性网络的"通解"、"特解"、"真特解"等新概念,使非线性网络有了类似于线性网络的解析解,这对于非线性电路的分析和设计是非常有用的。
2.
In recent decade, chaos control and chaos synchronization are among the key points for the chaos application in nonlinear networks.
最近十年对非线性网络中的混沌控制与混沌同步研究已成为复杂性科学中的研究热点之一。
5) Nonlinear principal component analysis (NLPCA) neural networks
非线性主元分析(NLPCA)网络
6) nonlinear distribution
非线性分布
1.
Depended on the failure character of cone penetration,and a available simplified estimating method is introduced,then,the disadvantageous effect on the code formula of cone penetration resistance of a spread foundation influenced by nonlinear distribution of stress is estimated quantitatively.
依据理论研究、模型试验和工程实测成果 ,对扩展基础基底压力的非线性分布进行研究 ;从扩展基础冲切破坏的实际性状出发 ,在定性分析基底压力非线性分布对扩展基础抗冲切承载力不利影响的基础上 ,采用简化的计算方法进行定量估算 ,估算值与 Press模型试验实测值很接近 ,进而对规范冲切承载力公式在设计中的合理应用提出建
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条