1) protective trip time mismatch
保护时间失配
2) protection time match
保护时间配合
1.
This kind of current is quickly attenuated, which causes that protection time match among the circuit breakers of serial power supply circuit is not concerted and some bus section is out of power.
38 0V厂用电采用全塑电缆供电 ,接地电流经固定电缆支架 ,用具有铁磁材料性质的生根扁铁组成回路 ,电流衰减快 ,从而使串级供电回路各断路器之间的保护时间配合不协调 ,造成部分母线段停电。
3) time mismatch
时间失配
1.
Channel mismatches include offset mismatch,gain mismatch and time mismatch.
通道失配包括偏置失配、增益失配和时间失配。
4) average out-of-frame holding time
失步平均保护时间
5) Protection time
保护时间
1.
The emulation result shows that the protection time severely depends on protection and switching protocol,and the effect of the switch time of optical switches on protection time is independent on network size.
仿真结果表明 ,网络业务的保护时间与保护倒换协议有重要关系 ,而光开关的动作时间对保护倒换时间的影响与网络规模没有关系 。
6) Etime protection
tE时间保护
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条